V návaznosti na včerejší zprávu IBM o integraci paměti typu DRAM do procesorů jako cache oznámila dneska firma, že má vzorek skutečně rychlé, prý nejrychlejší eDRAM, jakou se dosud podařilo vyrobit. IBM ji vytvořila 65nm SOI procesem a je připravena i na 45nm, kde se má objevit v komerčních variantách na procesorech někdy v příštím roce. Tato eDRAM zabírá jednu třetinu plochy dnešní běžně používané SRAM o téže kapacitě při pouze pětinovém nároku na energii.

Specifikace:

• Velikost buňky: 0,126 mm²


• Napájencí napětí: 1 V


• Použitelných buněk: 98,7 %


• Konfigurace: 1Kbit. buňky v 16 řadách a 146 sloupcích (2Mbit)


• Pracovní příkon: 76 mW


• Udržovací příkon: 42 mW


• Náhodný přístup: 2 ns


• Latence: 1,5 ns