Nová verze 4+ (v IT žargonu bychom jí mohli říkat třeba 4.1) navazuje na 4.0, se kterou přišlo aktuálně nejnovější firemní ARM SoC, 10nm FinFET čip Snapdragon 835.

Dle tvrzení Qualcommu je nová verze o dobrých 15 % rychlejší oproti QuickCharge 4.0, přičemž je o 30 % efektivnější a je schopna běhat při nižších teplotách (čím je nejspíše myšleno, že dobíjený akumulátor se méně zahřívá?). Uvedené hodnoty plynou z interních testů Qualcommu na 2750mAh akumulátoru nabíjeném na plnou kapacitu (tedy včetně závěrečné části dobíjecího cyklu).

Nové hardwarové vlastnosti verze 4+ zahrnují inteligentní teplotní vyvažování, duální nabíjení a příslušné zabezpečovací mechanismy. Volně řečeno by se tedy dalo říci, že Quick Charge 4+ opět o něco efektivněji rozkládá nabíjení akumulátoru, možná přímo jednotlivých článků v něm tak, že celkový nabíjecí proud (možná v tomto kontextu spíše řekněme celkový náboj proudící do akumulátoru) je o oněch 15 % vyšší, ale je vhodněji rozložen mezi jednotlivé části tvořící daný akumulátor.

Lze z toho vyvozovat, že vedle čipu s podporou této nabíjecí technologie (a samozřejmě příslušně dimenzovaného nabíjecího adaptéru) musí být elektronická podpora též v akumulátoru? Každopádně Quick Charge 4+ monitoruje teplotu i těla přístroje a konektoru (USB typu C, jak jinak v roce 2017).

Prvním smartphonem s Quick Charge 4+ je Nubia Z17 od čínské společnosti ZTE. Zachována je zpětná kompatibilita nové verze se zařízeními s Quick Charge 3.0 a dokonce Quick Charge 2.0.