Novinky u Intelu: 20nm NAND flash a první 14nm testovací obvody
Zatímco 22nm výrobní proces má Intel již víceméně hotov, vždyť příští rok přijdou na trh procesory Ivy Bridge, ten 14nm je spíše v počátcích. Firmě se podařilo vyrobit první jednoduché logické obvody, na nichž se celá výroba ladí v počátečních fázích. Reálné procesory na něm postavené ale nečekejme dříve než roku 2014. Půjde pochopitelně v podstatě o "die-shrink" rodiny Haswell, která svoji pouť začne roku 2013 po Ivy Bridge jako odladěná verze 22nm výroby.
Abychom ale nebyli jen ryzí optimisté tupě přetiskující prohlášení Intelu, připomeňme náš květnový článek: Zázraky Intelu: 14nm proces z 16nm přes noc, který podrobně rozebírá anabázi kolem výrobních procesů.
Druhá novinka se pak týká společného podniku IMFT (Intel Micron Flash Technologies), který Intel provozuje se svým americkým partnerem. Na světě mají první 128Gbitové NAND flash čipy vyráběné 20nm procesem, což opět představuje naprostou špičku. Někdy ve druhé polovině příštího roku by se tyto čipy mohly dostat do produktů, kde naváží na současné 64Gbitové 20nm čipy, které již vstupují do sériové výroby.
Výhledově se můžeme těšit na terabitové (128GB) čipy, v nichž bude navrstveno osm těchto kousků křemíku. Díky rozhraní ONFI 3.0 bude takový čip schopen dosahovat rychlostí až 333 MB/s, což dává vynikající potenciál pro velká SSD sestavená z více kousků.
Z hlediska životnosti Intel hovoří o "planar cell structure", díky které by měly 20nm čipy dosahovat stejné životnosti jako současné 25nm. Také jako vůbec první používají high-k metal gate ve svých tranzistorech.