RECENZE: Kingston KC3000 1TB PCIe NVMe Gen4 SSD
Kapitoly článků
Pro zajímavost jsem provedl i několik testů v Ubuntu 20.10, spíš pro zajímavost. Jedná se hlavně o celkem krátké benchmarky. Nejprve jsem testoval čtení z disku za pomoci hdparm, ten umí za pomoci parametru –direct číst přímo z disku a obchází se tak cachování dat v samotném systému, jinak můžeme naměřit i rychlosti přesahující rychlost disku(s cache zvládá každé SSD rychlosti ála 28 GB/s, jelikož se akčně cachuje do RAM). Tento test pouštím desetkrát, abych si ověřil konzistentní rychlost čtení.
Phison E18, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Innogrit IG5236, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, 3D TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 2GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E16, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer QLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 1GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Silicon Motion SM2267, 256MB DDR3L-1866, TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Realtek RTS5762, 64MB DDR3, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 512MB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D MLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Micron DMO1B2, 1GB LPDDR4-4266, Micron 96-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Pablo, Samsung 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Silicon Motion SM2267, 512MB DDR4, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SanDisk 20-82-007011, 512MB DDR4-2400, 64-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 2GB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Polaris, 512MB LPDDR3, Samsung 48-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Realtek RTS5762, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E16, 512MB DDR4-2667, Toshiba 96-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix ACNT038, 512MB LPDDR4-4266, SKhynix 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
SK hynix YCN34PTA0, 512MB LPDDR4, TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung MEX, 512MB LPDDR2, Samsung 32-layer MLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Samsung MGX, 512MB, Samsung 32-layer TLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
dd is your friend
dd je skvělý nástroj, kterým můžeme v konzoli kopírovat data a celé disky dle chuti. Je však extrémně důležité dát si pozor, co je zdrojový disk a co je cílový, změny jsou typicky nevratné. Já testuji za pomoci následujících příkazů, kdy zapisuji 10GB dat na disk, zapisuji samé nuly a zkouším to celkem desetkrát. Výsledek pak zprůměruji.
Mimo zapisování nul zkouším generovat náhodná data a to za pomoci parametru urandom, problém je v tom, že tato náhodná data generuje procesor jednovláknově, proto jsem využil i další generátor náhodných dat a to sice urandom osolený openssl, což je možné generovat poměrně rychle, zapisuji tisíckrát 24MB dat, u mnoha SSD se tak vyčerpá SLC cache. Testuji i s parametrem oflag=dsync
, který donutí zápis každého 8kb bloku dat na SSD, tím se zcela obchází různé cache a získáme tak reálnější pohled na rychlost zápisu.
Jednotlivé příkazy vypadají takto:
dd if=/dev/zero of=/dev/nvme1n1 bs=1G count=10 oflag=direct
dd if=/dev/zero of=/dev/nvme1n1 bs=1G count=10 oflag=direct oflag=dsync
dd if=<(openssl enc -aes-256-ctr -pass pass:"$(dd if=/dev/urandom bs=128 count=1 2>/dev/null | base64)" -nosalt < /dev/zero) of=/dev/nvme1n1 bs=24M count=1000 oflag=direct iflag=fullblock
Phison E18, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, 3D TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 2GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 1GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E16, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer QLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix ACNT038, 512MB LPDDR4-4266, SKhynix 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Silicon Motion SM2267, 512MB DDR4, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Innogrit IG5236, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Micron DMO1B2, 1GB LPDDR4-4266, Micron 96-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Realtek RTS5762, 64MB DDR3, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E16, 512MB DDR4-2667, Toshiba 96-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Phoenix, 2GB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 512MB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D MLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Pablo, Samsung 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Realtek RTS5762, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Silicon Motion SM2267, 256MB DDR3L-1866, TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix YCN34PTA0, 512MB LPDDR4, TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
SanDisk 20-82-007011, 512MB DDR4-2400, 64-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Polaris, 512MB LPDDR3, Samsung 48-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung MEX, 512MB LPDDR2, Samsung 32-layer MLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Samsung MGX, 512MB, Samsung 32-layer TLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Silicon Motion SM2267, 512MB DDR4, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix ACNT038, 512MB LPDDR4-4266, SKhynix 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Innogrit IG5236, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Realtek RTS5762, 64MB DDR3, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, 3D TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Micron DMO1B2, 1GB LPDDR4-4266, Micron 96-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Realtek RTS5762, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E16, 512MB DDR4-2667, Toshiba 96-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E16, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer QLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix YCN34PTA0, 512MB LPDDR4, TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
SanDisk 20-82-007011, 512MB DDR4-2400, 64-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Silicon Motion SM2267, 256MB DDR3L-1866, TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Phoenix, 2GB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 512MB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D MLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Pablo, Samsung 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Elpis, 1GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 2GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung MGX, 512MB, Samsung 32-layer TLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Samsung MEX, 512MB LPDDR2, Samsung 32-layer MLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Samsung Polaris, 512MB LPDDR3, Samsung 48-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, 3D TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 2GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Samsung Elpis, 1GB LPDDR4-1866, Samsung 136-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E18, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Phison E16, 2GB DDR4-2667, Micron 96-layer QLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SK hynix ACNT038, 512MB LPDDR4-4266, SKhynix 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Innogrit IG5236, 1GB DDR4-2667, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Silicon Motion SM2267, 512MB DDR4, Micron 96-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Micron DMO1B2, 1GB LPDDR4-4266, Micron 96-layer NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 512MB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D MLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Phoenix, 2GB LPDDR4, Samsung 64-layer 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Phison E16, 512MB DDR4-2667, Toshiba 96-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
Realtek RTS5762, 64MB DDR3, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Realtek RTS5762, Micron 3D TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Pablo, Samsung 128-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
SK hynix YCN34PTA0, 512MB LPDDR4, TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Silicon Motion SM2267, 256MB DDR3L-1866, TLC NAND
M.2 2280 PCIe NVMe Gen4 x4
SanDisk 20-82-007011, 512MB DDR4-2400, 64-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung Polaris, 512MB LPDDR3, Samsung 48-layer TLC
M.2 2280 PCIe NVMe Gen3 x4
Samsung MGX, 512MB, Samsung 32-layer TLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s
Samsung MEX, 512MB LPDDR2, Samsung 32-layer MLC
2,5“ 7mm SATA 6Gb/s