Samsung chystá 36GHz GDDR7, do roku 2030 očekává 1000vrstvé NAND
Během Samsung Tech Day 2022 ohlásili zástupci společnosti několik novinek pro různě vzdálenou budoucnost. Ty bližší zahrnujíDDR5 čipy o kapacitě 32 Gb, což znamená 4GB na čip. Na 32GB modul by tak stačilo 8 čipů, na 64GB šestnáct a tak dále. V dohledné době dojde také na efektivně 8,5GHz LPDDR5X. LPDDR mají tradičně výkonnostní náskok před klasickými DDR, ovšem na úkor ceny, proto jsou jejich cílem mobilní produkty, kde je prioritou dosažení vysoké datové propustnosti při nízkém počtu čipů a nízké spotřebě. V posledních letech ale LPDDR pronikají z mobilů a tabletů také do notebooků, takže je možné, že si jejich vysokou propustnost užijeme i v segmentu PC. 8,5GHz LPDDR5X nabídnou o třetinu více než odpovídá maximu standardu DDR5 (6,4 GHz efektivně).
Mezi střednědobé výhledy patří nástin GDDR7. Samsung pracuje na jejich vývoji a na základě dosavadních poznatků předpokládá, že bude schopný nabídnout efektivně 36GHz čipy. Připomeňme, že standard GDDR6 končí na 16GHz, v poslední době se docela rozšířily 18GHz (oproti kterým přinesou zmíněné GDDR7 zdvojnásobení datové propustnosti) a v nejbližších letech dojde ještě na ~20GHz+ GDDR6, které umožní ze stávající technologie ještě pár desítek procent vyždímat, ale na mezigenerační zdvojnásobení výkonu to již nejspíš nebude.
Dlouhodobou vyhlídkou je pak směr vývoje v segmentu úložišť V-NAND. Od zahájení výroby před deseti lety dosáhl Samsung zdesetinásobení počtu vrstev a patnáctinásobku úložného prostoru. V roce 2024 plánuje vydat devátou generaci V-NAND (nebo alespoň zahájit její sériovou výrobu) a v roce 2030 očekává dosažení minimálně tisícivrstvé konstrukce.