Samsung Galaxy S8 možná přijde dříve, 10nm čip Exynos 8895 výrazně zrychlí
Osmá generace velmi pravděpodobně přijde, jako ty předchozí, ve dvou verzích: Galaxy S8 a Galaxy S8 Edge. Tomu mají odpovídat současné zkušební vzorky označované jako Dream (modelové označení SM-G950) a Dream 2 (SM-G955). Mělo by jít o 5,1 a 5,5palcové smartphony s u Samsungu již tradičním zahnutím delších hran displeje u většího i menšího modelu. Vše samozřejmě zatím plave na vodě, Samsung nic oficiálně nepotvrdí ani nevyvrátí, ale lze předpokládat, že srdcem příští generace bude nové SoC.
A pokud to Samsung stihne doladit, mohlo by jít o zbrusu nový čip Exynos 8895. Dříve se o něm spekulovalo, že díky nové výrobní technologii bude schopen běhat až na 4,0 GHz, nicméně realita dle Geekbenche je jiná. SoC má strop na 3,0GHz hranici, nicméně to nevadí (ostatně může jít jen o nižší takt vývojového vzorku), neboť Samsung zapracoval na vnitřní logice a speciálně ve zpracování obrazu (fotografií) má být Exynos 8895 až o 70 % rychlejší než jeho předchůdce a snést celkově srovnání se Snapdragonem 830 od Qualcommu, právě díky pokročilé výrobní technologii a vysoké energetické efektivitě.
Spotřeba čipu nemá přesáhnout 5 W právě díky 10nm FinFET výrobě. V Geekbenchi si vede lépe než Exynos 8890, v single-core dosahuje 2301 bodů, v multi-core pak 7019 bodů (Exynos 8890 dává ~1800, resp ~5000 bodů). Takže se nechme překvapit, jestli tyto dvě neoficiální zvěsti spolu souvisí, případně jde o dvě nezávislé informace.