Samsung urychluje vydání HBM3 a GDDR6 v souvislosti s 16nm výrobou
Samsung téma otevřel již krátce před Vánoci v souvislosti s 16nm výrobou a lepšími DDR4. Je to ale stejné jako s vánočním pečivem. O Vánocích si každý vybírá to nejlepší, teprve po svátcích dojde i na poslední drobky. Stejně tak je to s informací o nových generacích pamětí, kterou Samsung nenápadně na závěr zprávy o 16nm DDR4 vpašoval. Cituji:
„S těmito vymoženostmi [řeč byla o výhodách nasazení 16nm procesu u pamětí] nyní Samsung uspíší své plány pro mnohem rychlejší uvedení nových generací DRAM pamětí a to včetně DDR5, HBM3, LPDDR5 a GDDR6 pro použití v enterprise serverech, mobilních zařízeních, superpočítačích, HPC systémem a vysoce výkonných grafických kartách.“ --- TZ Samsung, překlad |
DDR5
O DDR5 už jsme si několikrát povídali, ale časy se mění, s nimi i plány a nebude tak od věci věci zasadit do aktuálního kontextu. Totiž už v roce 2015 jsme slyšeli o nástupci DDR4, tedy DDR5. Shodou okolností rovněž od Samsungu, takže rozpory, které mezi tím nastaly, nemohou jít na vrub rozdílných plánů jednotlivých výrobců. V září 2015 Samsung počítal se zahájením výroby DDR5 na rok 2020 s použitím třetí generace 10nm-class procesu. První generace 10nm-class jsou 18-19nm procesy, druhá 15-16nm procesy, takže třetí (z tehdejšího pohledu poslední) by byla cosi kolem 10-12nm výroby. Tyto paměti měly cílit na přenosovou rychlost 6,4 Gb/s, tedy DDR5-6400.
Slajd Samsungu z roku 2015
Časy se mění, jak víme, s nástupy dalších a dalších výrobních procesů to jde generaci od generace pomaleji a tak se i DDR5 měly odložit. Jenže ona citovaná věta z tiskovky naznačuje, že se Samsungu do odkladu nechce a raději s jejich výrobou začne už na druhé generaci 10nm-class (tedy asi 16 nm) než aby čekal na původně zamýšlenou generaci třetí (10-12 nm). Ostatně v novějších materiálech se v souvislosti s DDR5 už nehovoří explicitně o přenosové rychlosti 6,4 Gb/s, ale je řeč o 4,8-6,4 Gb/s.
AMD plánuje zachovat socket AM4 (tzn. DDR4) do roku 2020. Zda bude existovat paralelně s AM5 podporujícím DDR5 nebo budou nová CPU vybavena řadičem zvládajícím obojí, zatím není známo
Samsungu (ani jinému výrobci) ovšem nemůžeme mít za zlé, pokud namísto až 6,4Gb/s standardu někdy v letech 2021-2022 dá přednost uvedení až 4,8 Gb/s standardu v letech 2019-2020. Uživatel tím o nic nepřichází a v podstatě jakýkoli posun oproti DDR4 je vítaný. 50% zvýšení datové propustnosti udělá dobře jak >10jádrovým procesorům v ultrahigh-endu, tak integrovaným grafikám, jejichž výkon výrobce vždy koncipuje s ohledem na možnosti datové propustnosti systémových pamětí. Jinými slovy, pokud paměti zrychlí o 50 %, znamená to možnost implementace integrovaných grafik o 50-100 % rychlejších.
Jak to s DDR5 viděl v roce 2016 Micron
U DDR5 jsme mluvili o to, že dosáhnou „až 4,8- nebo 6,4Gb/s“ rychlosti. Neméně podstatnou informací je, na jakých taktech začnou. Samsung to sice v tiskovce neuvádí, ale starší slajdy Micronu hovořily o 3,2 Gb/s, což je hodnota, na které končí oficiální specifikace standardu DDR4.
GDDR6
O GDDR6 jsme slyšeli jak v souvislosti s AMD, tak v souvislosti s Nvidií. Ta je měla využít v 16Gb/s podobě na 384bit grafické kartě začátkem roku 2018 (podle zpráv od Hynixu). Nakonec to možná nepůjde tak rychle. V dubnu 2017, kdy tuto informaci Hynix zveřejnil, se totiž předpokládalo, že na podzim 2017 Nvidia vydá herní 12nm modely řady Volta - tedy nějakou GeForce GTX 2080 s jádrem GV104 - a zhruba půl roku poté dojde na GV102 s 384bit sběrnicí v podobě prvního voltaického Titanu.
Jak víme, z těchto plánů sešlo, Nvidia v roce 2017 vydala jediné 12nm GPU architektury Volta a to výpočetně zaměřené GV100 nesoucí paměti HBM2, které s koncem roku nabídla i jako desktopový Titan. Herní čipy prý vzniknou až na 10nm generaci Ampere, takže nelze čekat, že by v nadcházejících týdnech na trh přišlo jakékoli 10nm 384bit GPU osazené 16Gb/s GDDR6. Paměti GDDR6 jistě na nějaké grafické kartě přijdou, jen to bude o nějaký ten pátek později.
384bit sběrnice s GDDR5 pamětmi na Xbox Scorpio by byla nahraditelná 192bit sběrnicí s GDDR6
Plány s GDDR6 má i AMD, není však známo, jaké. Byť se spekuluje o nasazení na grafických kartách (i k tomu bezpochyby jednou dojde), dává větší smysl předně využití v konzolových APU. Ta zatím staví na GDDR5 a širších sběrnicích (256-384bit), jenže až se tato s přechodem na 7nm výrobu zmenší, nebude jejich obvod dostatečný pro zachování 384bit sběrnice, zákonitě dojde k jejímu zúžení a to bude třeba kompenzovat rychlejšími pamětmi. Což jsou právě GDDR6.
HBM3
Stejně tak jako v případě GDDR6, tak i u HBM3 můžeme předpokládat využití jak ze strany AMD, tak ze strany Nvidie. Situace je ale opačná v tom směru, že zatímco Nvidia o plánech s HBM3 nehovořila, ani nenaznačovala, AMD ve vztahu k 7nm architektuře Navi mluvila o nové generaci pamětí, což po HBM na Fiji a HBM2 u Vegy pro Navi znamená analogicky právě HBM3. Otázkou ovšem zůstává, zda je tato informace stále aktuální (např. společnost Synopsys totiž vyvíjí HBM2 rozhraní pro 7nm proces).
HBM3 podle očekávání Rambusu dosáhnout dvojnásobné přenosové rychlosti oproti HBM2; podle starších materiálů Samsungu by mohla být i o něco vyšší než dvojnásobná.
Ať už bude generace Navi pamětmi HBM3 doplněna od vydání nebo až později, má našlápnuto být prvním produktem, který HBM3 nabídne. Není důvod pochybovat, že se HBM3 objeví i na nějaké výpočetní kartě od Nvidie. Otázka je jen, na které. GV100 z 12nm generace Volta staví na HBM2 a zatím nevíme, zda 10nm(?) generace Ampere bude výlučně grafická (herní) záležitost, nebo spíš „zpočátku grafická“ záležitost, která později přijde i ve výpočetním provedení. Každopádně lze očekávat, že to, co nahradí čip GV100, s nezanedbatelnou pravděpodobností Nvidia osadí třetí generací HBM.
Diskuse ke článku Samsung urychluje vydání HBM3 a GDDR6 v souvislosti s 16nm výrobou