Samsung oznámil přípravu DDR5 modulů o kapacitě až 512 GB, přenosové rychlosti až 7200 MT/s a energetických nárocích o cca 13 % nižších než mají současné DDR4. Těchto parametrů dosahuje nasazením technologií, z nichž vyzdvihuje dvě.

První je HKMG neboli High-K Metal Gates. Z hlediska výroby procesorů a grafických čipů nejde o nic zajímavého, HKMG se stalo naprostým standardem před 10 lety, s nasazením 28nm procesů většiny výrobců. Nikoli však ve výrobě paměťových čipů, jejichž struktury jsou podstatně jednodušší. Technologii zvyšující dosažitelné frekvence (případně snižující energetické nároky při zachování frekvencí), ovšem zvyšující výrobní náklady, výrobci nepotřebovali. Samsung nyní evidentně usoudil, že dozrál čas, kdy se vyplatí HKMG nasadit i do výroby pamětí.

Druhou technologií je TSV (Through Silicon Vias), vodiče procházející kolmo skrze vrstvy křemíku umožňující sendvičovat více křemíkových vrstev na sebe. Samsung tak může spojit osm vrstev o kapacitě 16Gb, čímž do jednoho pouzdra dostane kapacitu 128 Gb a při osazení 32 kousků na modul pak 4096 Gb = 512 GB celkem.

Tyto moduly mají být dostupné až do rychlosti DDR5-7200, což je více než dvojnásobná přenosová kapacita oproti standardním DDR4-3200 používaným v serverech. Právě do serverů míří tyto velkokapacitní DDR5-(až)-7200 primárně. Samsung vyzdvihuje jejich energetické nároky o 13 % nižší než u řešení postaveného na DDR4. Ač paměti nepatří mezi komponenty, které by na spotřebu serverů měly největší vliv, při kombinaci jejich zaměření na kapacitu a 13% úsporu Samsung očekává, že právě to výrobce serverů osloví.