Bavíme se konkrétně o 64vrstvých V-NAND flash čipech Samsungu o kapacitě 256 Gbitů (32 GB). Kapacitně jsou tedy stejné jako předchozí 48vrstvá generace, ale logicky mohou být rozměrově menší (případně je v moci Samsungu „slepovat“ po 64 die kapacitně vyšší již dnes - záleží na nanometrech výrobního procesu).

Přenosová rychlost nových čipů dosahuje až 1 Gbit/s. Kromě ní nové čipy dosahují nejkratší doby nastavení stránky paměti - 500 µs - v čemž jsou zhruba 4× rychlejší než typická 10nm konkurence a 1,5× rychlejší než předchozí 48vrstvá generace Samsung V-NAND.

Nové čipy pochopitelně zamíří do všech možných segmentů, od mobilních přístrojů, přes běžné počítače až po servery. Ostatně menší výroba běží již pár měsíců, zahájena byla letos v lednu. Kromě jiného zahrnuje i variantu čipů typu UFS, tedy rychlejšího typu NAND flash úložiště osazovaného zejména ve výkonnějších smartphonech.

Jihokorejský obr by rád dosáhl toho, že ještě v letošním roce bude nová 64vrstvá generace čipů pokrývat více než polovinu jeho celkové produkce NAND flash.

Firemní technologii výroby vrstvených V-NAND chrání již více než 500 patentů. Samsung již hovoří o tom, že má zajištěnu technologii i pro nadcházející roky, kdy uvede 1Tbit kapacity / více než 90 vrstev (lze předpokládat, že půjde o 96vrstvé čipy).