Samotný záměr 12nm výroby ohlásil Samsung již koncem roku, kdy zmínil právě i DDR5-7200. Samsung byl zároveň prvním výrobcem, který pro sériovou výrobu pamětí začal využívat EUV litografii a nejinak tomu bude s 12nm výrobou. 12nm proces kombinovaný s EUV litografií pro více vrstev dále kombinuje s novým high-K dielektrikem. I díky němu se očekává 23% pokles spotřeby na čip.

Padla zmínka o 16Gbit čipech, které prošly procesem vyhodnocení kompatibility u AMD loni v prosinci. 24Gbit („nebinární“) konfigurace Samsung nezmínil.

Oproti DDR5-6400 přinesou tyto paměti 12,5% navýšení datové propustnosti, což může mít příznivé dopady na výkon především u systémů s výkonnou integrovanou grafikou. Jistý přínos lze očekávat třeba i u herního výkonu v kombinaci s výkonnou samostatnou grafickou kartou a výkonným procesorem, ale tam obvykle mají podstatnější vliv (než datová propustnost) latence.

S ohledem na zahájení výrob DDR5-7200 v květnu lze očekávat komerční dostupnost paměťových modulů koncem léta. Mohly by tudíž být k dispozici v návaznosti na vydání procesorové generace Intel Raptor Lake-refresh, desktopové verze řady Core 14000.