Samsung spustil sériovou výrobu druhé generace HBM
Samsungu se podařilo dodržet příslib předložený koncem loňského léta a to, že počátkem roku 2016 zahájí výrobu HBM pamětí, konkrétně tak zvaných HBM2*. Samsung nasadí 20nm výrobní proces a jako první umožní vznik 4GB sendvičů složených ze čtyř 8Gb vrstev (plus jedné řídící vrstvy). Paměti budou podporovat ECC.
*Minulý týden jsme si vysvětlili, že HBM2 v podstatě neexistují, podle standardu JEDEC spadají do specifikace HBM jako takové a mnohé parametry (jako vyšší počet vrstev nebo pokročilejší proces) jim byly přisouzené mylně, chybným výkladem materiálů Hynixu. Počet vrstev se ve skutečnosti nemění a výrobní proces není daný specifikací, ale volbou výrobce.
Každý sendvičový 4GB čip bude dosahovat datové propustnosti 256 GB/s, takže hypotetický produkt osazený jedním dosáhne datové propustnosti vyšší než GeForce GTX 980, produkt osazený dvěma dosáhne datové propustnosti na úrovni Radeonu Fury X a produkt osazený čtyřmi překoná 1 TB/s.
Později v letošním roce uvede společnost také 8GB čipy (8+1 vrstva), u nichž bude datová propustnost totožná jako u 4GB - hlavní výhoda tkví v možnost vytvoření jednočipových 32GB grafických karet, případně ve snížení výrobních nákladů pro produkty, které vyžadují vysokou kapacitu paměti, ale už ne tak vysokou paměťovou propustnost. Lze očekávat, že letos nebo nejpozději v první polovině příštího roku dojde v mainstreamu na grafické karty vybavené jedním 256GB/s 8GB HMB čipem.
Použití HBM se zcela jistě nevyhnou top modely od AMD i Nvidie, konkrétně čip AMD Greenland alias Vega 10 a od Nvidie velký Pascal GP100. Oba tyto produkty jsou hernímu trhu ale ještě docela vzdálené. Blíže nástupu má Polaris 11, nový mainstreamový produkt AMD chystaný k vydání na přelomu jara a léta. Není však jisté, zda bude vybaven HBM nebo GDDR5; použití GDDR5 bylo oficiálně potvrzeno na malém čipu Polaris 10. Podobně tak menší čipy z řady Nvidia Pascal budou využívat GDDR5, ale dosud není jasné, mezi kterými modely bude hranice použití GDDR5 a HBM. Vrstvené paměti bývají zmiňované i ve spekulacích kolem APU integrující procesorová jádra Zen s grafickým čipem Polaris 10. Ten však cílí až na rok 2017 a opět chybějí oficiální údaje, které by použití HBM konkrétně na tomto APU potvrzovaly (byť je znám jakýsi slide, který existenci APU s jádry Zen a HBM pamětmi připouští).
Pro Samsung může být výroba HBM zajímavá s ohledem na mobilní variantu HBM nazývanou WIO2, která umožňuje zhruba zdvojnásobení energetické efektivity oproti LPDDR4 a zároveň i dosažení vyšší datové propustnosti, což může významně pomoci výkonu grafických jader integrovaných v ARM SoC.