Samsung vyrábí tyto ARM čipy klasickou high-K metal gate technologií druhé generace s ultra-low k dielektrikem na waferech z napnutého křemíku generace páté (strained silicon, ještě si to upřesníme). První vzorek nesl v návrhu několik nových typů struktury vnitřních komponent, lokálních propojení a dalších prvků, firma si tak na něm ověřila, že je schopna vyrobit různé mírně odlišené procesory.

Jádrem vyrobeného čipu (zpráva opravdu hovoří v jednotném čísle) je ARM Cortex-M0 doprovázený prototypovými knihovnami ARM (oba typy: 12-track high performance a 9-track high density), paměťmi, GPIO, a dalšími testovacími strukturami. Prozatím jde tedy o takové inženýrské cvičení, do sériové výroby jakýchkoli finálních čipů je ještě poměrně daleko (v řádu let), ale až si budete za pár let kupovat mobil od Samsungu s vícejádrovým několikaGHz procesorem, který i přesto vydrží relativně dlouho na baterii, pak za to bude mimo jiné vděčit právě 20nm SoC v útrobách.

Ještě k tomu "napnutému" ("napjatému") křemíku. Termín "strained silicon" označuje strukturu, v níž jsou jednotlivé atomy křemíku od sebe odtaženy na větší vzdálenost než je jim přirozená. Mezi atomy je tak trvale jisté "napětí" (nikoli "elektrické", ale "mechanické"). Důvodem, proč se toto dělá, je skutečnost, že při větší vzdálenosti atomů křemíku jsou oslabeny jejich meziatomové vazby, které jinak narušují tok elektronů skrze tranzistory v čipech. Výsledný čip z "napnutého křemíku" pak dosahuje vyššího výkonu při nižší spotřebě, udává se zhruba o 70 % rychlejší průchod elektronů, resp. o 35 % rychlejší spínání tranzistorů. Kromě samotného "napínání křemíku" se používají i další techniky jako například dopování elektrod source a drain směsicí germania a uhlíku, které dále zlepšují vlastnosti čipů.