Samsung začal sériovou výrobu low-power DDR3 čipů 30nm technologií
Na úvod opět musíme upřesnit marketingové mlžení Samsungu: výraz „30nm-class“ znamená jednoduše něco mezi 30 a 39 nanometry včetně. Samsung toto neupřesňuje a my nemáme sílu se pokoušet konkrétní čílo věštit z křišťálové koule, takže vezměte zavděk jen touto informací.
Nicméně úvodní testovací fáze proběhly v pořádku, takže se rozjela sériová výroba. low-power verze DDR3 čipů o velikosti 2 Gbit se uhnízdí zejména v (ultra)mobilních zařízeních a přístrojích, které budou přicházet na trh, ať již jde o smartphony a tablety nebo hi-res displeje a různé jiné využití. Čipy jsou efektivně taktovány na 1,6 GHz, tedy nijak nevybočují z konzervativních specifikací JEDEC a představují oproti low-power DDR2 zhruba 50% nárůst výkonu.
Cesta od testovací výroby prvních vzorků k této sériové trvala Samsungu 10 měsíců, což není vůbec špatné. Firma očekává nadále rostoucí zájem o LPDDR3 čipy jako takové, takže o odbytiště prakticky jakéhokoli množství produkce nebude mít nouzi (v tomto kontextu se sluší ale připomenout právě i LPDDR2, o které stále je a ještě nějakou dobu bude zájem: v květnu tohoto roku začal 4Gbitové LPDDR2 čipy Samsung vyrábět 20nm-class procesem).
Diskuse ke článku Samsung začal sériovou výrobu low-power DDR3 čipů 30nm technologií