Sanyo toho dosáhlo evolucí vlastních HIT fotovoltaických článků z krystalického křemíku. HIT, neboli Heterojunction with Intrinsic Thin layer se skládá z jediné tenké křemíkové desky (single-crystalline silicon (c-Si)) obalené z obou stran supertenkými amorfními křemíkovými vrstvičkami (amorphous silicon (a-Si)). Vyvinutá architektura omezuje rekombinační ztráty prvků nesoucích náboj právě obalením C-Si vrstvy generující energii a-Si vrstvičkou. Sanyo aktuálně dosáhlo zlepšení výroby a-Si části soukolí, výsledkem je zvýšení napětí z 0,725 na 0,729 V.

Současně se zkvalitněním a ztenčením a-Si vrstvy a též zkvalitnění vodivé vrstvy mají sluneční paprsky snadnější průchod k energii generující c-Si vrstvě, neboť v amorfní vrstvě dochází k menším absorpčním ztrátám. Proud nakrátko tak vzrostl z 39,2 A/cm² na 39,5 A/cm². Další aspekt, který přispěl ke zlepšení účinnosti, jsou nižší odporové ztráty. Sanyo vyvinulo materiál pro výrobu elektrod s nižším odporem, který se navíc nanáší lepší tiskovou technologií. Takzvaný „fill factor“ (hodnota daná jako V_oc × I_sc) tak vzrostl z 0,791 na 0,80, představuje tedy 80 % dosažitelného maxima.