Po příslibu 10 Tbitů na palec si dnes dáme ještě jednu technologickou novinku, která se objevila v časopise Science. Tentokrát výzkumníci z univerzity v Pittsburghu přicházejí s oznámením, že jsou schopni vyrobit tranzistor téměř na atomární bázi. Zatímco nejmodernější výrobci polovodičů nesměle začínají s 32nm, Jeremy Levy a jeho parta jsou na čtyřech a slibují ještě menší rozměr. Vytvořil vodič tenký 4 nm na rozhraní krystalu SrTiO3 a 1,2 nm silné vrstvě LaAlO3 (oba jsou izolátory). Nanovodič se pak dá smazat opačným napětím, což z rozhraní udělá zase izolant, zkrátka na rozměru několika nm dovedou převádět vodič na izolant a zpět. Alexander Bratkovsky z HP Labs, který je s prací na SketchFET seznámen, prohlásil: „Jeho charakteristiky jsou hodně podobné křemíkovým tranzistorům a proto může být použit při stavbě moderních počítačů. Jeho obrovskou výhodou je mimořádně jednoduchá výroba.“ Na další stránce najdete video, kde vám to jistě lépe vysvětlí sám Jeremy Levy. A) 5×5 mm, B) 50×50 µm, C) 1×1 µm