V první řadě nebude na škodu, pokud si upřesníme, co je ona riziková výroba. Jde o etapu výroby, kterou již lze považovat za sériovou, ale ještě ne za masovou. TSMC umožní zákazníkům realizaci jejich produktů, ale na jejich zodpovědnost - bez záruk na výtěžnost a výsledné vlastnosti čipů. Přes tato rizika ale mohou vznikat plnohodnotné čipy, které se svými vlastnostmi nijak významně neliší od produktů vzniklých masovou výrobou.

Rozvrh je prostý: tento týden, tedy v polovině listopadu byla zahájena riziková výroba 16nm FinFET+ procesem (podle tiskové zprávy jej využila Nvidia, LG, Mediatek, Xilinx a další); zhruba v polovině léta příštího roku (~červenec 2015) dojde na masovou výrobu.

 Vynechme tentokrát PR omáčku a podívejme se na něco zajímavějšího - čísla. Intelu se začátkem letošního roku podařilo poněkud popudit zástupce TSMC konstatováním, že jeho procesy nejsou až tak pokročilé a následná přestřelka mezi oběma stranami vyústila ve zveřejňování čísel prezentujících zlepšení, které jednotlivé procesy TSMC přinášejí oproti jejich předchůdcům. Byť tato čísla musíme brát s určitou rezervou (TSMC je opakovaně upravuje podle momentální nálady a experimentálních výsledků; přesto jde spíš o teorii, než reálně dosažitelnou praxi), umožňují nám udělat si obrázek o hardwaru následujících let, respektive jeho výkonu a spotřebě.

Čísla, která zveřejnila TSMC, jsem přepočetl, aby byla vzájemně srovnatelná a odrážela rozdíly jak oproti 20nm výrobě (s níž srovnává TSMC; tmavošedé řádky tabulky), tak pro 28nm, kterou známe z praxe výrazně lépe (světlejší řádky). Mějte ovšem na paměti, že je možné dosáhnout buď zlepšení po stránce spotřeby, nebo zlepšení po stránce výkonu (taktů). Uvedená čísla nelze kombinovat (maximálně dosáhnout nějakého kompromisu, jak bývá v praxi nejčastější).

Pokud například stávající grafické čipy běží bez problémů na taktech kolem 1100 MHz+, pak by s 16nm FinFET+ procesem měly zvládat takty okolo 2 GHz. Pokud bychom naopak vzali nějaký stávající high-endový čip se spotřebou kolem 200W a vyrobili ho na 16 nanometrech (což teoreticky není ve všech případech možné), pak by si při zachování taktovacích frekvencí a tedy i výkonu vystačil s napájením z PCIe sběrnice (~75 wattů).

I když se takový skok může zdát přímo gigantický, je třeba mít na paměti, že po 16nm FinFET+ procesu po řadu let nic nového nepřijde a podobně jako v případě 40nm nebo 28nm odsoudí výrobce i zákazníky na dlouho dobu k minimálním posunům po stránce výkonu i spotřeby. Můžeme sice vzpomenout zvěsti o přípravách údajného procesu zvaného 16nm FinFET Turbo, který by měl přinést ještě další zlepšení, ale vzhledem k tomu, že jeho existenci TSMC dosud ani nezmínila, nelze vyloučit, že jde o produkt nějakého informačního šumu.