Ten je koncipován jako nástupce po stávající 28nm technologii. Ač to konkrétně nezaznělo, tak s ohledem na to, že firma vyvíjí 14nm technologii jako svou první na bázi FinFET tranzistorů, nelze vyloučit, že 18nm je die-shrink klasické 28nm planární technologie, protože die-shrink se dá vyvinout rychleji než architektonicky zcela odlišná technologie typu FinFET. Na druhou stranu ale nelze vyloučit, že UMC netrápí ani tak výroba „3D“ tranzistorů typu FinFET, jako spíš 14nm velikost řídící elektrody tranzistoru - pak by 18nm technologie mohla být „větší FinFET, než bylo v plánu“ a dle dostupných neoficiálních informací je toto ten správný odhad skutečnosti.

Původně chtěla UMC představit 14nm FinFET v rizikové výrobní fázi v polovině tohoto roku s tím, že sériovou výrobu rozeběhne v roce 2016, tyto plány ale padají.

Zdroje hovoří o tom, že 18nm proces má být budoucí levnější alternativou ke 14nm FinFET. Zpočátku UMC plánuje měsíční kapacitu této výroby na úrovni 10 tisíc 300mm waferů. O výrobu se postará některá z domovských továren, jelikož dle Tchaj-wanských zákonů a regulačních opatření nesmí UMC nasadit svůj nejpokročilejší výrobní proces v Číně (v tomto případě konkrétně v továrně v Xiamenu, která bude vyrábět 28nanometrově, zejména pro čínské odběratele).