Japonští vědci demonstrovali nové tzv. FeFET (ferroelectric gate field-effect transistors), které dramaticky zvyšují možnosti NAND flash pamětí. Nejenže jim stačí 6 V (standardní flash potřebuje 20 V), ale počet jejich cyklů nahrání a smazání převyšuje 100 miliónů, navíc se dají vyrábět 20, ale i 10nm technologií, když s NAND je to 30 nm, protože pak už je šum tak velký, že je obtížné udržet a hlavně rozlišit stav jedné buňky od druhé, FeFET by měl udržet data nejméně deset let.

Už koncem roku 2004 na podobném ferroelektrickém principu vyvinula Fujitsu FRAM, odolnější a rychlejší náhradu za EPROM, tyto paměti pak dělá i Toshiba nebo Seiko Epson. Je to právě Fujitsu, která do FeRAM investovala velké peníze a vidí v ní budoucnost, alespoň tak si sama zdůvodňuje jejich současnou absenci na trhu s SSD. FeFET se tak přidává k dalším nadějným technologiím, které by snad už v brzké době měly (mohly) poslat klasické pevné disky na odpočinek, máme tím na mysli MRAM (Magnetic RAM), STT-RAM (Spin Transfer Torque RAM) nebo PCM (Phase Change Memory).

P.S. Ptáte-li se na těch 20 V, pak odpověď neznáme, USB dá tak 5 V a na nich, jak známo, flash paměti chodí. Nejsme tak znalí technologie, abychom věděli, zda tam někde uvnitř se tak vysoké napětí s malým proudem „nějak“ nevyrábí a říkáme si, že ti vědátoři asi vědí nejlépe, co píší.