neni ten derivat "z nouze cnost" MB lepsi nez plné GAA? vzdyt ta plocha "plíšku" je mnohem vetsi nez u tech tenkych "dratku"? viz. ty dva pict tusim jsou od Intelu ... btw 1x je tam BM misto MB ;-)

Mna by skor zaujimalo, ako budu tranzitoty vyzerat v cca 2035 ked definitivne dojde po dekade od nasadenia dych aj MBCFET. V tej dobe sa budeme hrat a pozerat na marketingove cisla nie 2 nm, a zrejme ani 1,5 nm, pri ktorych zacina byt vhodne pouzitie dalsieho SI prefixu. Marketing nas v 2035 zrejme zahlti 1 nm hausnumerami a mensimi, kde uz je pouzite dalsieho SI prefixu ziaduce, aby sme mohli byt dostatocne masirovani 1000 pm, 900 pm ci 850 pm vyrobnymi procesmi (pricom samotne atomy maju cca 120-260 pm), kde cely jeden tranzistor bude svet zlozeny z mnohych urovni (tak ako dnes), ale na rozmeroch nie 100-200 nm ako pri dnesnych 3D FinFET 3-gate/5-gate (t.j. 40-70 nm miesta v mriezke na jeden kanal) a teda s 15-40 tisic nm^2 na tranzistor, ale hlboko pod 50 nm rozmer na cely tranzistor.

Aj tak uz dnes je absolutne uchvatne co ludstvo dokazalo, 3D kanaly v tranzistoroch siroke menej jak 100 atomov a medzery medzi nimi velkosti cca 200 atomov. Absolutne fascinujuce.

Prakticka implementacia 5-gate dnes:
https://ars.els-cdn.com/content/image/1-s2.0-S0038110115002713-gr1.jpg
https://www.synopsys.com/content/dam/synopsys/newsletters/dwtb-usb-finfe...
(take pekne vytvory/potvory mozno vidno aj pod elektornovym mikroskopom a snimkov prvych 22 nm finfetov intelu spred mnohych rokov)

Vidim to do budoucna zcela zrejme a je to velky prislib. Az dojde dech i MBCFET, zacnou proste vyrobci do novych produktu davat kvalitni nesrackove kondenzatory, cimz dostanou vyrobky zcela novou dosud nepoznanou kvalitu. Nakonec aktualne to vidime u jedne nejmenovane firmy, jak muzou 4 smeckove kondenzatory podtrhnout jinak dobry produkt. :-)