GlobalFoundries díky FD-SOI nabídne pokročilejší 28nm proces než TSMC
Výrobní procesy můžeme podle potřeb cílového produktu a na základě toho zvoleného substrátu rozdělit do dvou skupin: SOI a bulk. Zatímco SOI dosud byly primárně určené pro výkonné x86 procesory - jejich výhodou je maximální dosažitelná frekvence - bulkový substrát bývá používán tam, kde nejsou třeba co nejvyšší takty, ale kde je kladen důraz na spotřebu nebo cenu. Příkladem mohou být ARM procesory, grafické karty a všemožné mobilní čipy.
Společnost GlobalFoundries v případě 28nm procesu nabízí (či bude nabízet) jak SOI, tak několik variant procesu na bulkovém substrátu. Plány však poněkud změnila dohoda se společností ST-Micro (což je mimo jiné firma, která kdysi pro PowerVR vyráběla grafické čipy Kyro). ST totiž přišla s procesem nazvaným fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI), který vyvinula primárně pro výrobu nové generace svých mobilních ARM procesorů NovaThor.
První vzorky na 28nm FD-SOI vznikly v červenci a k radosti ST-Micro s jejich výrobou ani chodem nejsou žádné potíže. Proces umožňuje pracovat v širokém rozpětí 0,6 - 1,2 voltů a podle ST co do výkonu i spotřeby (v pozitivním slova smyslu) překonává první generaci bulkového 22nm FinFET procesu.
Továrna ST Micro v Crolles, Francie
ST-Micro má však omezené výrobní kapacity, a tak uzavřela dohodu s GlobalFoundries. Situace se bude mít takto: Výroba čipů 28nm FD-SOI procesem začne u ST a mezitím se část linek u GlobalFoundries začne upravovat pro tento proces. To by neměl být velký problém, FD-SOI proces byl vyvinut z LP bulk, takže stačí menší úpravy stávajících nástrojů a softwaru - některé výrobní kroky jsou dokonce zjednodušeny.
V prvním kvartálu roku 2013 sjedou z linek GlobalFoundries první vzorky a na podzim 2013 by měla odstartovat sériová výroba. Dohoda zahrnuje, že GlobalFoundries může pomocí FD-SOI vyrábět i svým partnerům, což znamená například AMD případně Rockchip, se kterým aktuálně chystá spolupráci.
S FD-SOI se počítá i pro 20nm generaci produktů (prototypy se plánují na třetí kvartál příštího roku). Krom již zmíněné nízké spotřeby je jednou ze zásadních výhod možnost ladění charakteristiky procesu mezi nízkou spotřebou a vysokým výkonem pomocí úpravy (síly) křemíkové vrstvy.
Diskuse ke článku GlobalFoundries díky FD-SOI nabídne pokročilejší 28nm proces než TSMC