Při rozhovoru o plánech pro letošní rok došlo na dotaz, kdy Hynix spustí výrobu paměťových čipů na 20 nanometrech. Samsung tak učinil před nedávnem, takže šéf Hynixu Park Sung-wook patrně tuto otázku očekával: „Je možné, že [20nm výrobu spustíme] začátkem druhého pololetí.“ Řeč je samozřejmě o masové výrobě, Hynix na samotném 20nm procesu už nějakou dobu pracuje a mohli jsme vidět i nějaké vzorky (k tomu se ještě vrátíme).

20nm proces přináší zhruba 30% úsporu co do křemíku ve srovnání s 25nm procesem a až 50% úsporu oproti 29nm procesu, který společnost využívá rovněž. To zároveň umožňuje na srovnatelnou plochu dostat kapacitně větší úložný prostor, což dále snižuje náklady na pouzdření čipů (pro dosažení stejné kapacity stačí jedno pouzdro místo dvou), případně na PCB, které bude těmito pamětmi osazeno.

• Podívejte se na skutečné HBM paměti, jsou malinké

I když Sung-wook nemluvil explicitně o HBM pamětech, jejichž hlavním dodavatelem zatím Hynix je, můžeme na základě dosud zveřejněných informací předpokládat, že wafer s HBM druhé generace, který byl k vidění minulý týden na GTC, vznikl právě na jmenovaném procesu. Společnost totiž na vystavených prezentačních materiálech uvádí, že druhá generace HBM se bude lišit právě výrobním procesem, který umožní zvýšit datovou kapacitu každé vrstvy.

Detail waferu HBM2 hynixu vyráběných pravděpodobně 20nm procesem

Pro zajímavost: první vzorky HBM pamětí vyráběné v loňském roce vznikaly na 29nm procesu; prvním 20nm paměťovým čipem Hynixu byl vzorek LPDDR4, kterým se společnost pochlubila už loni v lednu. Zdá se, že 20nm DDR4 od Hynixu přijdou na trh na podzim letošního roku a 20nm HBM se na komerčně dostupných produktech objeví v roce následujícím.