7nm velikost hradla je sice i nadále spíše nedosaženou metou (rozhodně z hlediska sériové výroby velkých rychlých čipů), ale další vlaštovka v celém procesu vývoje výrobní technologie, je tu. A to díky spolupráci IBM se Samsungem a SUNY Polytechnic Institute, kdy se podařilo nahradit čistý křemík ve výrobě čipů slitinou křemíku a germania, která poskytuje vyšší elektronovou vodivost v tomto malém rozměru. Též je samozřejmě použita Extreme Ultraviolet litografie (EUV) s adekvátně krátkou vlnovou délkou laseru.

IBM se pod 10nm bariéru podívala již dříve, když v roce 2012 předvedla 9nm tranzistory využívající uhlíkové nanotrubičky. Jenže to byla spíše demonstrace „sci-fi technologie“, zatímco SiGe tranzistory mají daleko blíže k současnému pojetí výroby čipů a tedy i praktickému nasazení ve výrobě v budoucnosti.

Oproti v současnosti vyvíjeným 10nm procesům slibuje IBM zhruba 50% velikost čipů, což je informace, kterou v souvislosti s přechodem na 7nm výrobou ve srovnání s 10nm neslyšíme poprvé. Jenže než se tenhle výzkumný projekt IBM v ceně tří miliard dolarů dostane do finále, uběhne ještě pár let.

Připomeňme, že IBM před časem předala své výrobní továrny firmě GlobalFoundries, u které má ale do budoucna „věcné břemeno“ na výrobní kapacity. Lze očekávat, že GlobalFoundries to bude péci jak se Samsungem jako takovým, tak i s tímto svým dosavadním tradičním partnerem (IBM s AMD úzce spolupracovala na mnoha výrobních procesech). Jestli z toho nakonec vzejde nějaká společná aktivita IBM - Samsung - GlobalFoundries či dalších firem, která nabídne next-gen procesy a jasnou válku s Intelem, TSMC či kýmkoli dalším, uvidíme v nadcházejících 5+ letech. IBM jako takový možná prodala továrny, ale zjevně nevyklízí pole jednoho z tahounů vývoje nových výrobních technologií.