Reuters ve druhé polovině května přinesla zprávy o problémech s pamětmi HBM3E Samsungu, se kterými se měla potýkat Nvidia při jejich certifikaci pro nadcházející řadu produktů, AI akcelerátorů Hopper a Blackwell. Paměti se měly přehřívat a odcházet v důsledku příliš vysoké spotřeby, v důsledku čehož neměly certifikací projít.

(Samsung)

Samsung krátce po zveřejnění této zprávy dementoval, že by se s takovými problémy potýkal a konstatoval, že nebude specifičtěji komentovat spolupráci s jednotlivými partnery. Nvidia tehdy na dotazy novinářů nereagovala. Během Computexu byl CEO společnosti Jen-Hsun Huang přímo požádán o bližší komentář, zprávu dementoval a dodal, že spolupráce se Samsungem na testování pamětí ve skutečnosti ještě probíhá.

• Nvidia bude prodávat GB200 za $60 000 - $70 000

Samsung je společně s Hynixem největším výrobcem HBM pamětí, obě firmy loni dodaly na trh srovnatelné množství. O řád níže stojí Micron, který sice po neúspěchu s vlastní technologií HMC rovněž na výrobu HBM přešel, ale dosud nedokázal na trh dostat významnější množství těchto pamětí. Zda je limitujícím prvkem jejich kvalita, cena nebo výrobní kapacity, není známo.

Zatímco aktuálně používané HBM3 dosahují rychlosti rozhraní kolem 6,4 až 7,12 Gb/s (což znamená přenosovou rychlost cca 0,8-0,9 TB/s), HBM3E nabídnou rychlost rozhraní kolem 10 Gb/s (přenosovou rychlost cca 1,3 TB/s), což bude muset vystačit až do nástupu čtvrté generace, na kterou si výrobci akcelerátorů ještě poměrně dlouho počkají. HBM4 by mohly mít standard uzavřený a publikovaný v roce 2025, což znamená, že samotné paměti a produkty na nich postavené se asi neobjeví dříve než v roce 2026. HBM4 přinesou jednu z nejvýznamnějších změn od první generace, nezvýší rychlost rozhraní (ta naopak klesne na 6-8 Gb/s), ale samotné rozhraní bude rozšířeno na dvojnásobek, ze současného 1024bit na 2048bit.