Otázka pomalých pamětí výrobce procesorů i grafických jednotek dnes pálí čím dál tím více a tak jsme se dočkali L2 i L3 cache, ale to jistě nebude ta správná cesta. Řešením by byla paměť s dostatečnou rychlostí a udržela-li by si i informaci bez občerstvování, bylo by to ještě lepší. Včera jsme psali, že IBM nyní disponuje nejrychlejší eDRAM s latencí 1,5 ns, co byste ale řekli na 0,01 ns?

Na serveru Nanowerk se totiž objevilo pojednání o nevoltaických energeticky nezávislých (NVRAM) pamětech založených na nanotrubicích, které takto rychlé jsou. NVRAM znáte třeba jako flash paměti, ale ty jsou velmi pomalé. Výhodou těchto teleskopických uhlíkových nanotrubic v molekulárních pamětech, oproti těm současným z křemíku, je jejich malý rozměr, hustota a velká rychlost. V poslední době bylo představeno několik takových řešení další generace pamětí založených na molekulární bázi, které se zaměřují na malý příkon, stálost, vysokou rychlost a rezistentnost vůči okolí. To co vám představujeme nyní, je sice jen koncepční návrh, který Dr. Qing Jiang (University of California, Riverside: Mechanical & Electrical Engineering) popisuje jako nano trubici uzavřenou v další o něco větší, jež se v ní pohybuje pomocí elektrostatického náboje (k posunu stačí překonat van der Waalsovu sílu). Kontakt s elektrodou vytváří vodivou trasu a celé to poskytuje hned tři stavy (viz obrázek). Podařilo se mu demonstrovat, že obě pozice stavů b) a c) jsou stabilní a doba překlopení je 0,01 ns. Tato rychlost předurčuje její použití na frekvencích 100 GHz až 1 THz. Že se nejedná o žádnou utopii potvrzuje zájem firem jako například Hewlett-Packard, IBM, Lucent, Motorola, Siemens nebo Hitachi. Dr. Jiang předpokládá, že do dvou až tří let by mohl být schopen předvést funkční prototyp.