Informace je velmi prostá a strohá: Samsung na ISSCC, která právě probíhá, oficiálně ohlásil svůj 10nm FinFET proces, který podle vlastních slov uvedl jako vůbec první na světě. To trochu koliduje s oznámením Intelu, který odhalil vlastní 10nm proces o den dříve. Pokud však budeme věřit zdrojům, které tvrdí, že vyvolení jedinci měli možnost vidět i konkrétní kousek hardwaru (čip? wafer?), pak by Samsungu prvenství v tomto ohledu příslušelo.

• Intel: 10 nm je konečná, 7 nm už nebude o křemíku

Kolem a kolem je vlastně jedno, zda první „10nm slajd“ promítl na plátno Intel nebo Samsung. Zatímco od Intelu se prvenství tak nějak očekává, u Samsungu je podobné ohlášení překvapující. Vypadá to totiž, že letošní převálcování TSMC 14nm procesem není pouhá náhoda, ale že Samsung skutečně usiluje o post technologicky nejpokročilejšího nezávislého výrobce čipů na světě.

Dostupné informace ilustrují, že ona první varianta 10nm procesu, o níž je řeč, cílí výhradně na mobilní segment a paměti. To ale není překvapivé, Samsung prakticky všechny své procesy vyvíjel pro mobilní segment a paměti. Stejně tak i TSMC v posledních letech míří nejdříve do mobilního světa a teprve poté řeší procesy používané v desktopu. Důvodem jsou velcí zákazníci jako Apple a Qualcomm, u nichž to funguje klasicky po mlynářsku.

Samsungu jde ale také o vlastní řadu ARM SoC Exynos. Přestože zatím oficiálně o žádném konkrétním 10nm produktu nehovořil, předpokládá se, že se jím mohl stát Exynos navržený pro řadu Galaxy S7. Z oficiálního odhalení nepřímo vyplynulo, že sériová výroba čipů začne koncem příštího roku a běžně dostupná by zařízení s 10nm SoC mohla být v roce 2017.