Začněme u nových faktů, omáčku souvislostí si doplníme následně. Samsung s ST-Micro uzavřeli dohodu, která zpřístupňuje technologii FD-SOI Samsungu a naopak ST-Micro a jeho zákazníci tím získávají výrobní kapacity, které firemní továrna ST-Micro ve Francouzské Crolles nemůže nabídnout.

Továrna ST Micro v Crolles, Francie

Výrobní proces FD-SOI v 28nm variantě nabízí nižší pracovní napětí a leakage než dostupné 28nm procesy a zároveň umožňuje dosažení taktovacích frekvencí o 15-30 % vyšších. Tím se stává velmi zajímavou alternativou k 20nm bulk výrobě, která je aktuálně ještě v plenkách (a pravděpodobně nenabídne výrazně víc než právě 28nm FD-SOI).

Zní to moc dobře, ale je tu jedno lehké déjà vu. Zhruba před rokem a půl, na podzim 2012 jsme přinesli zprávu, která začínala slovy: „Křemíkoví pekaři ST-Micro a GlobalFoundries uzavřeli zajímavou smlouvu: ST poskytne technologii, která výrazně sníží spotřebu low-power procesů a GlobalFoundries za to poskytne výrobní kapacity…“.

Asi nemá smysl sáhodlouze rozebírat, proč a v čem je FD-SOI proces tak skvělý, dokud si neujasníme, proč ST-Micro hledá u Samsungu to, co našlo předloni u GlobalFoundries. Ta totiž o FD-SOI již téměř rok mlčí, nebo o něm hovoří jen v rámci odpovědi na konkrétní dotaz. Ještě na začátku loňského roku projevovala nadšení - například konstatování, že úprava výrobních linek z bulkových procesů 28LP a 28SLP na 28nm FD-SOI je zcela minimální. Zmiňovala, že 80 % je zcela identických a 20 % velmi podobných, navíc - jelikož jde o planární proces, vycházejí i substráty levně(ji). Designové kity měly být hotové v prvním kvartálu 2013, riziková výroba měla být spuštěna před Vánoci 2013 (to už byly v plánu první vzorky na 20nm FD-SOI) a sériová výroba měla běžet v první polovině roku 2014. Ta se chýlí ke konci a kde nic, tu nic.

Žádná vysvětlující tisková zpráva ani oficiální prohlášení ze strany GlobalFoundries, které by vysvětlilo, proč neslyšíme nic nového o 28nm FD-SOI čipech, nepřichází. Co se mohlo stát, napovídají pouze slova Adele Hars, šéfredaktorky webu Advanced Substrate News, která na podzim prohodila pár slov se Subi Kengerim z GlobalFoundries. Ten již tehdy o FD-SOI hovořil spíše v minulém čase - potvrdil, že společnost z této možnosti byla zprvu nadšená, hlavně co se nízkých úrovní leakage týče, jenže stále zvažovala obě cesty a po interní analýze se začala přiklánět k FinFET. FD-SOI ale stále nebyla odepsaná. Kengeri upřesnil, že GlobalFoundries nemá problém 28nm FD-SOI výrobu nabídnout, pokud by se objevil solidní zákazník a o sériovou výrobu požádal.

Zdá se však, že se tak nestalo. Nad možnými důvody bychom museli spekulovat. V tomto ohledu si zaslouží zdůraznit zřejmě jen otázka ceny. I když měly být podle původních zpráv substráty levnější, neuvádějí tyto zdroje, vůči čemu. SOI wafery jsou obecně drahé (proto například AMD od této cesty ustoupila) a je dost dobře možné, že FD-SOI je sice levnější než například SOI s použitím FinFET/Tri-Gate - stále však může být dražší než bulkový FinFET.

Pokud po 28nm FD-SOI není poptávka, je otázkou, proč si technologii, kterou GlobalFoundries odstavila, nyní licencoval Samsung. Lze připustit, že ji plánuje použít jako překlenující řešení do nástupu 14nm výroby, případně aby získal dočasnou strategickou výhodu pro vlastní ARM čipy vůči nabídce Applu, Qualcommu a Nvidie, kteří jsou zatím limitováni 28nm bulk procesem. Můžeme také připustit, že dohoda mezi Samsungem a ST-Micro byl spíš výměnný obchod než nákup drahé licence a pro Samsung bude - podobně jako pro GlobalFoundries - FD-SOI pouze jakýsi plán B, který se nikdy nemusí dočkat realizace.