Samsung časný 3nm GAA/MBCFET (3GAE) proces nezrušil, ale spíš stáhl z nabídky
Minulý týden zveřejnil Samsung roadmapu, která potvrdila informace o „novém“ 4nm procesu a dále změnila výhledy na 3nm výrobu, ze které zmizel 3GAE proces. Samsung však tvrdí, že je stále v plánu…
Proces značený jako 3GAE byl dlouho očekáván jako vůbec první technologie spadající do rodiny GAAFET (gate all-around field-effect transistor), zkráceně GAA. Samsung totiž šel cestou úpravy myšleny GAA takovým způsobem, aby k její realizaci mohl použít stávající stroje. Tuto verzi GAA procesu nazval jako MBCFET (multi-bridge-channel field-effect transistor). Zatímco u základního GAA jsou kanály realizované sérií nanodrátů plně obklopených řídící elektrodou (u současných FinFET je kanál obklopen řídící elektrodou jen ze tří stran), MBCFET namísto nanodrátů používá širší proužky (svitky), které jsou snáze vyrobitelné stávajícími nástroji (viz úvodní obrázek).
Samsung nejprve plánoval nasadit tuto technologii s 4nm procesem v roce 2020, později v roadmapě nahradil 4nm GAA/MBCFET proces klasický FinFET a GAA/MBCFET se posunulo na 3nm technologii (je možné, že fakticky šlo stále o tentýž projekt / proces, který se jen přejmenoval). Ještě v roce 2018 uváděl Samsung zahájení 3nm GAA/MBCFET výroby v roce 2020:
V roadmapě z ledna 2019 však již byla riziková výroba namalována na rok 2021. Poté Samsung ohlásil, že roku 2021 bude zahájena pouze riziková výroba, případně dojde na tape-out zákaznických produktů, a velkokapacitní výroba začne v roce 2022. Letos zveřejněná roadmapa ale již první verzi 3nm procesu (3GAE) zcela vynechala a z rodiny GAA/MBCFET procesů uvádí jen 3GAP v roce 2023:
Protože je už dlouhá léta v IT zvykem, že co zmizí z roadmapy, je fakticky zrušeno, byla tak chápána i situace s 3GAE procesem.
Mluvčí Samsungu se však proti tomu ohradil slovy: „…jednali jsme se zákazníky a očekáváme zahájení masové výroby v roce 2022.“
Těžko tato slova interpretovat. Pokusil se o to Anandtech, který situaci chápe tak, že 3GAE nebyl zrušen úplně, ale bude nakonec dostupný jen interně pro potřeby Samsungu. Což by se dalo chápat tak, že proces je ve stavu, při kterém neoslovuje externí zákazníky, takže mizí z veřejné roadmapy, ale pro vlastní potřebu (tzn. nějaký Exynos) ho Samsung možná využije.
Z pohledu koncového zákazníka (tzn. naděje, že s GAA/MBCFET dorazí konkurenceschopná výrobní technologie, o kterou bude zájem, uleví přetíženému TSMC a zlepší ceny a dostupnost hardwaru) se však nic nemění, k tomu 3GAE nepřispěje.
