O 300mm waferu s 10nm FinFET čipy od Samsungu jsme si povídali před pár dny. Ve stejné době s podobnou věcí přišel Intel, jen s tím rozdílem, že v jeho případě není řeč „jen“ o malých ARMech, ale o větších x86 procesorech. První 10nm FinFET čipy hodlá Intel ukázat ještě letos, což znamená, že před Samsungem má náskok přibližně 1 rok a současně u něj lze očekávat komplexnější výrobu.

Nicméně Samsung neživí obrovské Xeony pro HPC segment, nýbrž primárně maličké ARMy, případně jejich výroba a výroba podobně jednoduchých čipů pro sebe i mnoho jiných společností, včetně Apple. Samsung sám přijde s vlastními 10nm FinFET čipy pro svou potřebu na konci příštího roku a v roce 2017 má představit smartphony řady Galaxy S8 s 10nm FinFET Exynos ARM SoC. V současné době vyrábí svá vlajková ARM SoC 14nm FinFET procesem a nalezneme je ve smartphonech Galaxy S6 (model S6 Edge výše na fotografii).

Můžeme začít nahlas přemýšlet o tom, jaký benefit tyto 10nm FinFET čipy přinesou. Samozřejmě lze namítnout, že nějaké hony za vyššími frekvencemi či počty jader nemusí být na místě, když současné hi-end ARMy pro smartphony umí topit tak, že přehřívají stále tenčí šasi a stejně tak umí poměrně rychle „vysát“ akumulátor. Takže benefitem může být i jen chladné tělo přístroje a větší výdrž. Ale obvykle s menšími nanometry přichází snadněji dosahovaná vyšší frekvence při daném TDP a také možnost do stejně velkého čipu dostat více jader či komplexnější jádra. A s ohledem na to, že Samsung má ambice dělat si vlastní CPU a GPU jádra odvozená od generických ARM architektur, je možné, že s 10nm FinFET technologií s něčím zajímavým překvapí.

Máme se ale rozhodně na co těšit. Společné výrobní kapacity dua Samsung / GlobalFoundries jsou velké, jistě se časem připojí též TSMC, o Intelu ani nemluvě, byt s ohledem na poslední ambice v oblasti superlevných malých SoC třídy Atom, která vyrábí i jeho čínští partneři bude situace na trhu za 1 až 2 roky velmi neobvyklá.