V segmentu klasických počítačů se s výrobním procesem Samsungu můžeme setkat například u některých grafických karet společnosti Nvidia. Jedná se o 14nm proces. Krom něj společnost aktuálně nabízí 10nm výrobu vhodnou především pro mobilní ARM SoC a pracuje na 7nm procesu. Ten se od 10nm (ale i 7nm TSMC a první verze 7nm GlobalFoundries) bude lišit použitím tzv. EUV litografie. Její podstatou je využití světla hluboko v EUV spektru, kterým lze - jednoduše řečeno - kreslit drobnější a přesnější detaily. Výhodou je možnost menších struktur, vyšší přesnost a tím i výtěžnost, nižší spotřeba, snížení počtu masek (tzn. snížení nákladů hlavně tam, kde se nevyrábí nijak extrémně vysoké množství čipů a cena masek se rozpočítává mezi menší počet jader, které tak výrazněji prodražuje). Nevýhodou je ale delší doba příprav a náklady spojené s přechodem na EUV litografii.

Toho si je ale Samsung od počátku vědom, takže nasazení 7nm procesu (7LPP) později než u TSMC (která EUV ještě nevyužívá) je očekávaný vývoj situace. Samsung počítá s dokončením 7nm procesu do stavu použitelného pro výrobu v letošním roce, ale konkrétních produktů se patrně dočkáme až v příštím roce. Protože si ale společnost je tohoto posunu vědoma, již nabídla tzv. 8nm proces (8LPP), který EUV nevyužívá a v podstatě jde o evoluci 10nm výroby s 10% snížením plochy a 10% navýšením energetické efektivity.

5nm výroba odstartuje koncem roku 2019 s procesem nazvaným 5LPE (low-power early), který půjde evoluční větví 7nm výroby, tedy využitím EUV a zmenšením struktur. 4nm (4LPE, 4LPP) výroba doznala změny. Původně Samsung avizoval, že půjde o první proces, na němž bude využita technologie GAAFET (Gate All Around) namísto FinFET, nicméně to už zřejmě není pravda ani z hlediska sériové výroby ani z hlediska experimentování. Pokud jde o experimenty, Samsung s IBM již loni vyrobil 5nm GAAFET čip a pokud jde o sériovou výrobu, rozhodl se Samsung odložit nasazení GAAFET, takže čtyři nanometry zůstanou na FinFET (samozřejmě s využitím EUV litografie) a dočkáme se jich asi v roce 2020.

3nm proces se tak stane prvním sériovým, na němž Samsung využije GAAFET, konkrétně svoji vlastní variantu nazvanou MBCFET (multi-bridge-channel FET). K zahájení výroby dojde roku 2022. Alespoň podle stávajících plánů společnosti.