Samsung snížil chybovost 14nm procesu na 0,2 defektu na cm², mluví o 10 a 7 nm
Nabídka 14nm procesů Samsungu se doposud skládala z 14LPE (low-power early) a 14LPP (low-power plus). Na prvním vznikaly hlavně mobilní čipy (zakázky pro Apple), na druhém - v licenci u GlobalFoundries - poběží i grafické čipy a procesory. Stejně dobře je ale použitelný i v mobilní sféře - za určitý příplatek nabízí možnost vyššího výkonu nebo nižší spotřeby (případně libovolného mezistupně). Třetí 14nm proces se jmenuje 14LPC a vzhledem k tomu, že jej Samsung prezentuje jako cenově výhodný, patrně zkratka znamená „low-power cost“. 14LPC má totožná pravidla návrhu, jako předešlé varianty, takže nevyžaduje přepracování designu jádra a podle Samsungu přechod nenese ani ztrátu výkonu (snad oproti 14LPE - pokud by to platilo i pro přechod ze 14LPP, ztratily by oba předešlé procesy smysl).
Co se existujících variant týče, snížil Samsung defektivitu 14nm výroby na 0,2 defekty na čtvereční centimetr, což je pro takto malý proces v relativně raném stádiu velmi dobrý výsledek. 28nm proces TSMC, na kterém se vyrábí od roku 2011, dosahoval loni 0,05 defektu na čtvereční centimetr. To je sice 4× méně, ale pokud si uvědomíme, že čip vyrobený na 28nm procesu je teoreticky až 4× větší než identický čip na 14nm procesu, je v podstatě výtěžnost podobná. Prakticky není, zmíněný čtyřnásobek je teorie, v praxi jde spíš o rozdíl trojnásobku. I tak jde ale o velmi slušný výsledek, který by neměl bránit výrobě větších než mobilních ARM čipů.
Jako další je v plánu 10nm proces. Dojde na obdobný harmonogram jako se 14nm výrobou, tzn. nejdříve přijde na řadu raný 10LPE proces, po čase ho doplní dražší, ale o 10 % rychlejší 10LPP proces. Opět zůstane možnost přechodu z 10LPE na 10LPP bez nutnosti přepracování návrhu čipu.
Nejpokročilejší proces, na který již Samsung myslí, je 7nm. Zahájil práce na variantě 7LPP a zvažuje nasazení EUV litografie (viz ilustrace v úvodu). Tou lze jednak vykreslit přesnější detaily a jednak není tak háklivá na posun v hloubce ostrosti. Problémem jsou ovšem vyšší náklady a časově náročnější přípravy, takže pravděpodobně dojde pouze k dílčímu nasazení v kritických fázích výroby.