Pokud MLC NAND flash vyráběné 50nm technologií vykazovaly zhruba 10 000 cyklů zápisu/smazání na jednu buňku, s 30nm-class výrobou tento údaj klesl na průměrných 5 000 a na 25nm vyráběné paměti už vydrží pouze 3 000 cyklů. Je to dané tím, že rozměry hradel se snižují, ale elektrony, potvůrky jedny, ty jsou stále stejné a tak přechod, který měl dříve větší rozměr, logicky vydržel déle (jde o to místo na obrázku z Wikipedie označené jako "Oxidschicht").

Zatím jediným řešením, jak tyto paměti „udržet při životě“ déle, je snížit redundanci a do jednotlivých buněk nahrávat pokud možno jen opravdová data, správa parity se tak přesouvá na řadiče.

Jako jedna z prvních s řešením nasadit dokonalejší management ovládání cyklů zápisu do jednotlivých buněk byla společnost SandForce (SF 1200), následovaná Indilinxem, Samsungem, Toshibou a dalšími. Výpočty nad ECC/CRC se v těchto řadičích provádí přímo v něm, což je zaplaceno nutností vyvinout podstatně sofistikovaný predikční obvod, který je pochopitelně i dražší a Micron právě zde přichází s vlastním řešením ClearNAND.

Je to elegantní řešení, kdy přesouvají zátěž náročného výpočtu parity z NAND řadiče přímo do čipu s pamětí a návrhářům tak poskytují stejně umístěné piny, jako u klasické NAND flash. Ti pak nemusí nic vymýšlet a použijí již navrhnuté desky, ale místo drahých řadičů mohou pracovat s těmi "obyčejnými".

Micron zákazníkům nabídne ClearNAND ve dvou verzích, jako "standard" a jako "enhanced". Standard poskytne rychlost pouze 50 MB/s a čtyři operace čtení/zápisu najednou, kapacitně pak půjde o 8 až 32 GB. Enhanced využívá RAID zapojení a tak je jeho rychlost 200 MB/s se šestnácti operacemi čtení/zápis a zákazník si bude moci vybrat od 32 do 64 GB.

Micron ví, že současná potřeba pamětí typu ClearNAND není tak veliká, ale už brzy se stane převládající, alespoň tak to ukazuje jejich odhad.

A ještě přidáme letmý pohled na možné nástupce NAND flash FeRAM, MRAM a PCM.