14- a 16nm procesy oproti 20nm místo neušetří, uspoří jen energii
Nvidia během CES o Pascalu ani výrobních technologiích příliš nemluvila (došlo jen na ukázku modulu pro samořídící automobily, který však ve skutečnosti nenesl čipy generace Pascal, ale byl složen z mobilních modulů architektury Maxwell). Informace proto pocházejí především od AMD, která byla letos sdílnější.
Zatímco FinFET technologie provázejí zprávy o snížení energetických nároků, málo se mluví o tom, o kolik sníží 14- a 16nm proces plochu jádra oproti 20nm procesu. Tato informace je o to podstatnější, že všechny FinFET procesy z důvodu komplikovanější struktury přinášejí jednorázové zvýšení nákladů na přípravu litografických desek pro každý čip, což výrazně zvyšuje výrobní náklady (někteří výrobci čipů proto začali vyvíjet různé alternativy pro méně movité zákazníky). Bylo by proto žádoucí, aby nižší rozměry oproti 20nm planární výrobě naopak snížily náklady v přepočtu na vyrobený čip. K tomu ale patrně nedojde, rozdíl bude menší než uváděly papírové údaje, takže se čip vyrobený 20nm a 14/16nm procesem nebude nijak výrazně lišit.
Podle AMD je škálování podobné, takže GPU, které by na 28nm procesu měřilo 400 mm², by na 14/16nm FinFET výrobě dosahovalo jen málo pod 200 mm². Na vině jsou tři vlivy. První, ten nejpodstatnější je, že „14nm“ a „16nm“ FinFET tranzistory nejsou o mnoho menší než 20nm planární. Druhý důvod spočívá v tom, že v důsledku jejich proporcí v kombinaci s možnostmi výrobního procesu (pro obě varianty FinFET výroby jsou používané části výrobních linek navržených pro 20nm výrobu) nedochází k adekvátnímu škálování kovových vrstev. Třetí důvod, který už situaci ovlivňuje jen řádově v jednotkách procent, je rozhodnutí AMD nehnat denzitu na maximální možnou úroveň, ale ponechat ji mírně nižší, od čehož si výrobce slibuje pozitivní dopady na energetickou stránku a náklady (pravděpodobně nižší denzita souvisí s nižším počtem defektů).
Zároveň je ale důležité říct, že (přinejmenším) 14nm FinFET proces Samsungu / GlobalFoundries je co do vzájemného poměru různých charakteristik vyvážený trochu odlišně než byl 22nm FinFET proces Intelu. Proces GlobalFoundries posouvá těžiště směrem k denzitě a energetické efektivitě, zatímco proces Intelu byl zaměřený více na dosažení maximálních taktů (což dává smysl s ohledem na fakt, že jím Intel nahrazoval výkonný SOI proces).