Jestli si vzpomenete, tak o ReRAM, tedy o Resistive Random-Access Memory jsme poprvé psali už v roce 2008. Tehdy se společnost Hewlett-Packard pochlubila, že v jejich laboratořích mají nový typ paměti, kde je využit čtvrtý základní kámen elektroniky (jak si to sami označili). Po odporu, kondenzátoru a cívce je jím memristor, tedy memory resistor, jenž si dovede pamatovat dva stavy. Využívá nanotechnologií, když kladně nabité díry ve vrstvě oxidu titaničitého mezi dvěma vrstvami z platiny se při působení jedné polarizace rovnoměrně rozprostřou, čímž se sníží odpor a zvýší proud a při opačné se zase odpor zvýší. Tehdy jsme ale uvedli, že reálné nasazení je ještě mnoho let vzdálené.

Ten čas se nyní zase o něco přiblížil, protože HP se dohodla s firmou Hynix, že budou společně vyvíjet nové materiály pro ReRAM a ruku v ruce také dají dohromady proces její výroby, aby se z oblasti výzkumu dostala ke komerčnímu využití. HP má vědce a vývojový tým, Hynix zase zkušenosti s výrobou pamětí všeho druhu, takže je to opravdu sňatek z rozumu.

ReRAM bychom pak mohli pasovat na nástupce současných flash pamětí, ale uvádí se i jako náhrada DRAM. Rychlost by měla být desetkrát vyšší než mají současné flash paměti, desetkrát menší by měla být spotřeba a měla by vydržet i více přepisů. Zatím prý jí budou společně vyvíjet a až teprve později se dohodnou, který produkt bude pro komerční nasazení tím nejlepším. HP začala s ReRAM v roce 2006 a už v roce 2013 by chtěli mít nějaký produkt s ReRAM připravený, což je úžasné tempo, většinou takový cyklus trvá 15 až 20 let. Už se tedy těšíme.