Na trhu s HBM pamětmi operují tři hráči. Hynix, Samsung a Micron. Hynix je společností, která ve spolupráci s AMD HBM paměti navrhla, když se Micron po léta marně potýkal s vývojem vlastních HMC. AMD tehdy čekala na HMC, které nabíraly čím dál větší zpoždění, a tak asi uprostřed jejich vývoje zahájila spolupráci s Hynixem. Obě značky společně navrhly jednodušší řešení, které nejen že dokončily dříve než Micron, který na tom svém už několik let pracoval, ale dostaly ho i na trh a nakonec se ukázalo být rychlejší, energeticky efektivnější a levnější, byť vyžadovalo křemíkové podložky k propojení s čipem (interposer) nebo můstky.

Hynix má tedy s HBM nejdelší zkušenosti. Na druhém místě stojí Samsung, který do vlaku naskočil s HBM2 a až zhruba do poloviny éry HBM3 se mu velmi dařilo a získal podobný podíl na trhu jako Hynix. Minimální podíl má pak Micron, neboť se stále pokoušel dokončit vlastní HMC, o které nakonec stejně nikdo neměl zájem a do rozjetého vlaku nastoupil jako poslední.

V druhé polovině éry HBM3 (tzv. HBM3e) se ale Samsungu dařit přestalo, nová verze pamětí není tak dobrá jako od Hynixu a ač se snaží skluz za konkurencí dohnat, dávají odběratelé přednost Hynixu. Ten již letos na jaře potvrdil, že s novou generací pamětí začne nabízet i modely vybavené základnou vyrobenou u TSMC. To je samo o sobě novinka, dosud výrobci využívali vlastní křemík. Rozhodně nic moc lepšího než by odpovídalo 16nm procesu TSMC, v podstatě se dosud používal planární (tedy ne-FinFET) křemík.

Základna na schématu jako „base die“ (RAMBUS)

S generací HBM4 se ale počítá s modely pamětí, které nabídnou různé vyfikundace na míru jako třeba logiku, cache, síťovou paměť a další prvky, po kterých bude poptávka. To by nebyl problém pro Samsung, který může základny (kam se tyto prvky integrují) vyrábět na vlastních FinFET procesech; je to ovšem problém pro Hynix a Micron, kteří mají ve vlastní výbavě jen starší planární procesy, které se pro tyto účely již moc nehodí. Již letos na jaře vyšlo najevo, že Hynix oslovil TSMC a objednal u ní 12nm a 5nm procesy, na kterých bude základny pro své HBM4 paměti vyrábět.

Nyní se dozvídáme, že Hynix je ještě odvážnější a bude základny u TSMC vyrábět i 3nm procesem. Zdroje o důvodech této změny v plánech moc nehovoří, ale s ohledem na stávající situaci na trhu se zdá být jasná. Samsung má problém dotáhnout HBM3e a Hynix v tom vidí příležitost předběhnout jej s HBM4 ještě víc, než jak jej předběhl s HBM3e. Samsung nemá v portfoliu proces, který by byl kvalitativně na úrovni 3nm technologie TSMC. Vedení společnosti navíc nebude chtít objednávat procesy svého konkurenta a navíc - i kdyby chtělo - výrobní kapacity 3nm procesu TSMC jsou rozebrané na několik let dopředu. Ze strany Hynixu jde tedy zjevně o dobře promyšlenou strategii.

Otázkou zůstává jen to, co úžasného plánuje Hynix do 3nm základen HBM4 pamětí integrovat.