Hynix rozjíždí výrobu pamětí na 10nm EUV procesu
Hynix není první značka, která na sériovou výrobu pamětí nasadila EUV proces. Tou je Samsung, učinil tak loni. Hynix je ale první, kdo zkombinoval s EUV výrobou 10nm proces. Výrobci pamětí obecně rozlišují čtyři generace výroby spadající do tzv. 10nm-class. Jde jednak o tzv. 1x(nm) proces, což je zhruba 18-19nm výroba, pak 1y(nm) proces odpovídající asi 15-16 nanometrům, dále 1z(nm) proces zhruba na úrovni 12nm výroby a nakonec 1a(nm) proces, který odpovídá 10nm.
Samsung loni oznámil expedici první várky 1z EUV pamětí a na letošní rok ohlásil spuštění 1a EUV výroby. To však nicméně dosud nepotvrdil (přinejmenším v tiskových zprávách nic takového nevidím), takže Hynix je s 1a EUV výrobou první. Micron v současnosti pro výrobu pamětí nepoužívá pokročilejší než 14nm proces. Byť jeho proces může být co do denzity konkurenceschopný, co do odpadního tepla na úrovni Hynixu a Samsungu nebude (viz zahřívání GDDR6X). EUV plánuje podle veřejné roadmapy nasadit až v roce 2024.
Hynix se s 10nm EUV procesem zaměřil nejprve na LPDDR4. Primárním cílem jsou zatím LPDDR4-4266 pro telefony. Tento segment ocení nejen prostý fakt, že tento (10nm / 1a) proces umožňuje z waferu získat o 25 % více čipů než předchozí 1z proces (což pozitivně ovlivní dostupnost a cenu), ale také o 20 % snížené energetické nároky. Začátkem příštího roku by měl mít Hynix k dispozici dostatek 10nm EUV linek na to, aby na ně mohl převést i výrobu DDR5 pamětí (desktop, servery, notebooky).