Samsung nasadil EUV do výroby pamětí, ohlásil čtvrtou generaci 10nm-class
Zatímco marně čekáme na nasazení EUV ve světě procesorů a grafických karet, využil Samsung této litografické metody k výrobě pamětí…
S EUV to celkově jde pomaleji, než se čekalo, ale ani po spuštění sériové výroby 7nm EUV procesů, se zákazníci příliš nehrnou a naopak poptávají různé alternativy bez EUV. Důvod již koncem loňského roku naznačila TSMC: Ač zdroje světla již svým výkonem stačí na sériovou výrobu, nestačí na to, aby byla stejně rychlá, jako výroba bez EUV, což vede k vyšším nákladům na výsledný produkt. EUV procesy tedy - přinejmenším na papíře, ale pravděpodobně i ve skutečnosti - umožňují dosáhnout vyšších taktovacích frekvencí a/nebo nižší spotřeby než ne-EUV procesy. Jenže jde o rozdíl kolem 5 %, což je příliš málo na to, aby se výrobcům CPU a GPU vyplatilo takový proces nasadit - přinejmenším finančně, možná i co do výrobních kapacit.
Samsung Electronics Hwaseong Campus
Apple dal při výrobě SoC A13 přednost klasickému N7P procesu před EUV (ať už u TSMC nebo Samsungu), AMD dala novými roadmapami najevo, že značením „7nm+“ ve starých roadmapách nemyslí N7+ (EUV) proces TSMC, ale obecně „vylepšený 7nm proces“, což poukazuje rovněž na N7P. O Nvidii se proslýchá, že herní GPU z generace Ampere nebudou vyráběné EUV procesem (jakým vyráběné budou, se však zdroje příliš neshodují).
V tomto kontextu je docela zajímavé, že Samsung nasadil EUV litografii do výroby pamětí. Ohlásil hned několik událostí:
- expedoval milion modulů vyrobených na první generaci 10nm-class procesu (1x) s využitím EUV
- v březnu zahájil vývoj čtvrté generace 10nm-class procesu (1a) s využitím EUV
- na rok 2021 ohlásil sériové nasazení čtvrté generace 10nm-class procesu (1a) s EUV
Krátké vysvětlení terminologie:
| Je už tradicí, že si výrobci pamětí nechávají konkrétní verzi výrobního procesu pro sebe. Funguje to tak, že jako 10nm-class je označováno vše mezi 10 a 19 nanometry, přičemž první generace (také označovaná jako 1x-nm) odpovídá zhruba 18-19 nanometrům, druhá generace (1y-nm) zhruba 15-16 nanometrům a třetí (1z-nm), o které je právě řeč, tak může vycházet někam do rozpětí 11-13 nanometrů. |
V první řadě je tedy překvapivé, že Samsung nasadil EUV na nějaký 18-19nm proces, kterým vyrábí paměti od února 2016. Z toho vyplývá, že cílem tohoto kroku nebylo přinést unikátní produkt, který konkurence nemá, ale ověřit možnost nasazení EUV v masové výrobě pamětí a technologii vyladit. Ta skutečná novinka má přijít v příštím roce, kdy dojde na tzv. čtvrtou generaci 10nm-class. Dosud se v rámci výroby pamětí hovořilo vždy o třech generacích na každou „dekádu“ výrobních procesů, čemuž odpovídalo i značení 1x, 1y a 1z. Po „z“ už v abecedě žádné písmeno nemáme a výrobci při volbě tohoto značení evidentně nepočítali s tím, že by po třetí generaci mělo příjít ještě něco dalšího. U Samsungu k tomu dojde, a tak musel improvizovat a čtvrtou generaci 10nm-class procesu označuje jako „1a“.
Samsung Electronics linka V1
Na 1a alias čtvrté generaci 10nm-class alias „něco blízkého deseti nanometrům s EUV navrch“ by chtěl v roce 2021 začít vyrábět 16Gb DDR5 a LPDDR5 čipy. Skutečně hovoří o (LP)DDR5, nikoli GDDR6, - to jen aby nedošlo k omylu. DDR5 jsou příští generací RAM pro desktop, o jejich nasazení se mluvilo například v souvislosti s post-AM4 budoucností architektury Zen, tzn. asi Zen 4/5.
Jako výhody 1a procesu uvádí Samsung vyšší výkon, zkrácení času vývoje, přesnější vzorkování a vyšší výtěžnost.
Zdroje:
