Micron, o kterém jsme v posledních dnech slyšeli v souvislosti se zemětřesením na Tchaj-wanu, které zasáhlo mimo jiné jeho továrny, zveřejnil plány na upgrade svých výrobních linek.

• Zemětřesení odstavilo továrnu zodpovědnou za 9 % světové produkce pamětí

Společnost připravila investiční plán sahající až do roku 2030. Během jeho realizace chce rozpustit částku ve výši $150 miliard, která bude využita na rozšíření a modernizaci výroby. Připomíná, že je posledním americkým výrobcem DRAM a 3D NAND pamětí, což jí předurčuje k zajištění zakázek od jiných amerických gigantů jako Amazon, Google a Microsoft.

Jenže na americké půdě Micronu zůstalo pouze vedení, výzkum a vývoj, továrna v Oregonu a několik relativně menších provozů. Továrny vybavené nejpokročilejšími procesy, kterými zásobuje potřeby osobních počítačů, telefonů a serverů, jsou koncentrované v Asii (především Tchaj-wan a Jižní Korea, částečně další země).

Současná příznivá ekonomická situace společnosti přiměl její vedení k investicím zaměřeným více na americkou půdu, ovšem podmiňuje to politickou vůlí, která by k tomu společnosti zajistila podmínky (federální dotace, daňové úlevy). Micron si tak chce zajistit nejen udržení konkurenceschopnosti (řekněme statutu quo) oproti Hynixu a Samsungu, ale zároveň posílit svoji pozici, aby nebyl výhledově převálcován novými výrobci pamětí v Číně nebo japonskou Kioxií.

Právě v souvislosti s Hynixem a Samsungem (míněno v kontextu pamětí) se o EUV už nějakou dobu hovoří v přítomném čase - připomeňme:

• Samsung nasadil EUV do výroby pamětí, ohlásil čtvrtou generaci 10nm-class ^{26. 3. 2020}
• Hynix rozjíždí výrobu pamětí na 10nm EUV procesu ^{16. 7. 2021}
• Samsung zahájil výrobu DDR5 s využitím EUV ^{13. 10. 2021}

Micron však teprve nyní zahájil přípravy na nasazení EUV (je tomu přesně rok, co se formálně stal členem EUV konzorcia). První paměti, které EUV litografie na jeho výrobních linkách využijí, máme na trhu očekávat až během roku 2024. EUV přináší výhodu v podobě snížení počtu vrstev, snížení spotřeby, zvýšení denzity a snížení nákladů; nevýhodou jsou pak náklady na EUV skener a relativně omezené výrobní kapacity jednoho skeneru. Při vhodném použití na high-endové produkty ale může EUV litografie nabídnout konkurenční výhodu. Tu Micron (respektive konkurenci v tomto směru dotáhne) získá až za téměř 3 roky, přičemž některé z jeho současných produktů - obzvlášť markantní je to u GDDR6X - by úpravu výroby vedoucí ke snížení energetických nároků potřebovaly už nyní.