Není to poprvé, co píšeme o nasazení EUV výroby u společnosti Samsung v generaci tzv. 1x-nm class výroby, tedy s 10-19nm procesy:

Je tu ale jeden háček. V tiskové zprávě z března 2020 používal Samsung jinou terminologiii (1x/1y/1z/1a procesy) než nyní (14nm), takže nelze se 100% jistotou říct, že to, o čem mluvil v březnu 2020 a co ohlásil na počátek roku 2021, je ve skutečnosti totéž, o čem informuje nyní, jen s 2-3kvartálovým zpožděním. Je to však dost pravděpodobné a skutečnost, že změnil terminologii (aby na první pohled z tiskovky nevyplývalo ono zpoždění), to nepřímo potvrzuje.

„14nm proces“ je potřeba v tomto kontextu chápat jako celou 14nm generaci včetně jejích derivátů, které by v jiném kontextu byly značené jako (např.) 12nm, 12nm+ nebo 11nm proces.

Samsung tedy nyní v říjnu 2021 oznámil zahájení velkokapacitní výroby DDR5 na EUV derivátu 14nm procesu. Hovoří o nejvyšší denzitě v segmentu výroby pamětí, o produktivitě zvýšené o 20 % a o spotřebě snížené o 20 % oproti předchozímu procesu. Tato čísla jsou dost dobře možná; oproti loňské zprávě však vypadl údaj o zkrácené době vývoje, což (jak naznačuje téměř tříkvartálové zpoždění) nejspíš nevyšlo. Výrobce očekává, že na popsaném procesu dosáhne pro DDR5 až 7,2 Gb/s (DDR5-7200), tedy více než dvojnásobku DDR4 s 3,2 Gb/s (DDR4-3200).

Jako cílový segment uvádí Samsung v první řadě AI a 5G systémy a dále hovoří o rozšíření produktového portfolia o podporu datacenter, superpočítačů a enterprise serverů. Předpokládá, že výhledově bude s tímto procesem schopen dosáhnout kapacity 24Gb (3GB) na čip.

K prvním produktům podporujícím paměti DDR5 budou patřit procesory Intel Alder Lake a AMD Rembrandt.