Dosavadní pokusy se soustředily na to, jak „naroubovat“ grafen do standardní polovodičové struktury. To ale bohužel vytváří nové problémy, kdy výsledná struktura trpí na velkou ztrátu průchodnosti elektronů a výkon čipu z hlediska rychlosti přenosu signálů se propadá od původně plánovaného 200násobku křemíku zhruba na úroveň křemíku a veškerý benefit je tak anulován. Samsung na to jde jinou cestou.

Její přístup zkoumaný ve firemním Advanced Institute of Technology se nesnaží o konverzi grafenu do podoby klasické polovodiče. Místo toho jeho vědci upravili návrh křemíko-grafenové konstrukce tak, že přidali Schottkyho bariéru - potenciálovou bariéru na rozhraní kov-polovodič, která „usměrňuje“ toky proudů (tedy vytváří stavy ON a OFF změnou výšky bariéry). Tuto konstrukci využívá i Schottkyho dioda, Samsung svůj výsledný produkt volně pojmenovatelný „Schottkyho grafenový tranzistor“ označuje jako „barristor“- tedy kombinací slov bariéra a tranzistor, volně česky tedy bariérový tranzistor.

Samsung se samozřejmě nachází ve stádiu počátečního výzkumu této technologie a do sériové produkce procesorů na grafenové bázi má ještě, jako všichni ostatní, daleko. Je ale příjemné moci jednou za čas napsat o tom, jak nějaká firma přistupuje k praktické aplikaci grafenových tranzistorů jinak než její konkurenti. Tato technologická diversifikace je něco, z čeho doufejme bude polovodičový trh v nadcházejících desetiletích jen těžit a nadále vzkvétat, zejména co do řádově vyšších rychlostí, které grafen slibuje.

Na svou barristorovou technologii v tuto chvíli Samsung vlastní již 9 patentů.

Přečtěte si také:

• Potenciální nástupce křemíku: Grafen
• Nobelova cena za fyziku 2010 za výzkum grafenu
• Paměťové superbuňky z grafenových nanovláken jako ze sci-fi světa ... realitou
• První integrovaný obvod z grafenu má IBM
• Molybdenit - konkurent grafenu a skutečný následník křemíku?