Pokud jde o výrobní procesy ve světě paměťových technologií, používají se již dlouhá léta planární (před-FinFET) procesy v rozmezí 10-20 nanometrů. Zatímco logika touto érou v podstatě proletěla (20nm procesy se moc nerozšířily, na 14/16 nm /s výjimkou Intelu/ vznikla jedna-dvě generace produktů, na 12nm druhá a 10nm proces se opět moc neuplatnil a přešlo se rovnou na ~7nm), používají výrobci pamětí tzv. 1xnm technologie doposud. Ani HBM4 nebudou výjimka, pro paměťovou část Samsung využije 6. generaci 1xnm 1c procesu.

Zajímavější je však informace, že základny pro paměti bude vyrábět na vlastním 4nm procesu. Důvodem je, že se s HBM4 počítá s integrací logiky, která má na křemík vyšší požadavky než datové úložiště. Hynix již ohlásil, že pro tyto účely využije 5nm proces TSMC, pro některé účely pak dokonce 3nm proces této značky.

• Hynix chce převálcovat Samsung, objednal výrobu 3nm základen pro HBM4 u TSMC

Jak přesně bude nabídka vypadat, zatím není jasné, ale obecně se předpokládá, že budou existovat varianty HBM4 s integrovanou logikou, cache a síťovou pamětí, které budou výrobci různých procesorů a akcelerátorů vybírat podle účelu konkrétního řešení. V současnosti je totiž pro i dost banální operace s daty uloženými v HBM4 tato data z HBM přesunout na úroveň čipu (přesněji řečeno na úroveň křemíku s logikou), a poté je do HBM vracet, což zbytečně konzumuje energii, výpočetní výkon akcelerátoru a datovou propustnost sběrnice. Jednoduché operace by tak bylo možné provádět přímo na úrovni HBM.

Samsung plánuje HBM4 velkoobjemově dodávat v prvním pololetí 2026, což může vypadat jako poměrně pozdní nástup, ale reálně to nemusí být až tak výrazný skluz. Hynix začal dodávat vzorky ve druhé polovině letošního března a sériovou výrobu plánuje spustit ve druhé polovině roku. Mezi zahájením sériové výroby a reálným dodáním lze počítat s prodlevou v řádu jednotek měsíců, takže - pokud už nedojde k žádným dalším zdržením - mohou být HBM4 od Samsungu dostupné zhruba půl roku po Hynixu.