Akumulátory možná Samsung neumí, ale výroba čipů FinFET procesem mu jde skvěle. Firma je plně připravena na výrobu smartphonů řady Galaxy S8, protože jejich srdce, vlastní ARM SoC Exynos, právě začala vyrábět 10nm FinFET procesem ve velkém. A díky tomu se snad z Note 7 stane jednoho dne jen kyselá historka z firemní minulosti.

Dle vlastních slov spustil Samsung 10nm FinFET sériovou výrobu jako první na světě. To by odpovídalo tomu, jak Intel neustále laboroval s 10nm procesem, který je aktuálně cílen někam na přelom roku. Ale každopádně jde spíše o marketingově využitelnou informaci, vyráběné čipy u Samsungu a Intelu nelze přímo porovnávat. Za nás každopádně míří do Samsungu gratulace.

Aktuálně používaný 10nm FinFET proces nese označení 10LPE. Oproti dosavadní 14nm FinFET výrobě dává zhruba o 27 % vyšší výkon či o 40 % nižší spotřebu, to vše při schopnosti vměstnat do stejně velkého čipu o 30 % tranzistorů víc. Druhý podtyp výrobního procesu nese označení 10LPP. Ten se má objevit ve druhé polovině příštího roku a nabídnout ještě vyšší výkon. Samsung již nějakou dobu plně spolupracuje se svými partnery z řad fabless firem, aby jejich přechod na 10nm výrobu byl co nejrychlejší a nejhladší. Obecně můžeme očekávat širokou škálu přístrojů a zařízení s čipy vyrobenými 10nm procesem u Samsungu v příštím roce.