TSMC: 3nm výrobu zahájíme do konce roku, 2nm jde podle plánu
Společnost TSMC zveřejnila termíny zahájení výroby pro 3nm procesy (N3, N3E) i jim následující 2nm výrobu. Potvrdila i nasazení nové konstrukce tranzistorů u této generace…
K příležitosti zveřejnění finančních výsledků došlo i na konferenci, kde CEO TSMC C. C. Wei odpovídal na dotazy. Došlo i na situaci kolem dvou následujících generací. Bohužel žádná otázka nenarážela na zvěsti o výtěžnosti 3nm procesu, které se v posledních měsících objevily. Tyto (únorové) zvěsti by se daly shrnout tak, že základní 3nm proces (N3) má výtěžnost pod očekávání a naopak s pokročilým 3nm procesem (N3E) jde vše lépe, než se očekávalo. Nutno dodat, že za poslední dva měsíce se objevily zprávy o nezanedbatelném zlepšování situace s výtěžnosti.
C. C. Wei nicméně uvedl, že ve druhém pololetí letošního roku zahájí TSMC velkokapacitní výrobu na N3. Z použité formulace lze usuzovat, že by k rozjetí výrob nemuselo dojít vysloveně koncem prosince. Termíny procesu N3E byly plánované podobně jako u N3, jen s rokem navíc. TSMC původně hovořila o třetím kvartálu 2023 pro velkokapacitní výrobu, podle neoficiálních informací mělo díky předběhnutí plánů dokonce dojít na kvartál druhý. To Wei nepřímo potvrdil konstatováním, že jsou přípravy o několik měsíců v předstihu a bude-li to možné, začne výroba dříve.
Nepadla žádná zmínka o N3B procesu, který bývá v poslední době zmiňován různými zdroji. Je možné, že jde o variantu procesu, která bude dostupná jen pro specifické partnery, takže TSMC nevidí důvody ke zveřejnění detailů
| EUV | zahájení výroby / tape-out | velkokapacitní výroba | ||
|---|---|---|---|---|
| Samsung | 7nm LPE (1. gen.) |  | ? | nezahájena |
| 7nm LPP (2. gen) | | říjen 2018 | červen 2019 | |
| 7nm (3. gen) | | ? | ? | |
| 6nm LPP | | duben 2019 | H2 2019 | |
| 5nm LPE | | 4. 2019 / H2 2019 | H1 2020 | |
| 5nm LPP | | 2019? | 2021 | |
| 4nm LPE (původní) | | ? | 2020/21 zrušen | |
| 4nm LPP (původní) | | ? | 2022 zrušen | |
| 4nm LPE | | 2021? | 2022 | |
| 4nm LPP | | ? | ? | |
| 3nm (3GAE) | | Q4 2021 | H2 2022 jen interně | |
| 3nm (3GAP) | | ? | 2023 | |
| TSMC | 7nm (N7) |  | leden 2017 | duben 2018 |
| 7nm (N7P) | | ? | ? | |
| 7nm EUV (N7+) | | říjen 2018 | červen 2019 | |
| 6nm | | Q1 2020 | ? | |
| 5nm (N5) | | duben 2019 | H1 2020 | |
| 5nm (N5P) | | ? | 2021 | |
| 4nm (N4) | | Q3 2021 | Q1 2022 | |
| 4nm (N4P) | | H2 2022 | H2 2022 | |
| 4nm (N4X) | | H1 2023 | 2023 | |
| 3nm (N3) | | Q4 2021 | H2 2022 | |
| 3nm (N3B) | | ? | H2 2022 | |
| 3nm (N3E) | | ? | Q3 2023→Q2 2023 | |
| 2nm (N2) | | Q4 2024 | H2 2025 |
Wei byl několikrát dotazován na 2nm (N2) proces, otázky se týkaly i použití GAA (Gate-All-Around) technologie. Přímé odpovědi se sice vyhýbal, ale jednou zmínil, že s 2nm procesem dojde na „novou strukturu tranzistorů“, čímž nasazení GAA (nebo nějakého derivátu) prakticky potvrdil. N2 by se měl dostat do rizikové výroby koncem roku 2024 a velkokapacitní bude zahájena v roce 2025. Wei použil formulaci zmiňující druhé pololetí a(ž) čtvrtý kvartál, takže to zatím vypadá spíše na podzim než léto.
O 4nm procesu a jeho variantách nepadla jediná zmínka.
Zdroje:
