Technologii GAA, respektive její Samsungem vyvinutou variantu MBCFET, plánovala společnost původně nasadit už se 4nm procesem. Nakonec nebyla tak ambiciózní a rozhodla se ještě jednu generaci počkat, až na 3nm proces. Právě na tom měla být roku 2020 spuštěna sériová výroba. K tomu - jak jste si jistě všimli (přesněji řečeno všimnout nemohli) - nedošlo.

Již podle roadmapy z ledna 2019 došlo k odkladu. V chlívečku „2020“ ze sériové výroby stala zkušební výroba, takže se rozběhnutí linek naplno odložilo na rok 2021. Ještě později Samsung ohlásil, že v roce 2021 bude zahájena pouze riziková výroba, případně dojde na tape-out zákaznických produktů, a velkokapacitní výroba začne v roce 2022.

Začátkem letošního léta z roadmapy úplně zmizela první verze 3nm procesu (3GAE) a zůstala jen druhá verze (3GAP), namalovaná až na rok 2023. Samsung tehdy dementoval tvrzení četných médií, že by proces byl zrušen, ale vše napovídalo tomu, že k faktickému zrušení došlo (nebudeme-li počítat omezenou možnost vlastního využití procesu Samsungem).

Podle aktuálních zpráv webu DigiTimes se potvrzuje nejen to, že dochází k faktickému odkladu první dostupné verze GAA procesu, ale dozvídáme se, že proces patrně nedosáhne kvalit konkurenční 3nm výroby společnosti TSMC. Ta jde zatím klasickou cestou (FinFET) a teprve později plánuje přejít na GAA. Skoro to vypadá, že TSMC díky zkušenosti se 7nm procesem (jehož výrobu na rozdíl od Samsungu nespojila s EUV litografií) opět volí konzervativnější cestu.

Již je tedy prakticky jisté, že TSMC nabídne 3nm výrobu dříve (v létě 2022; Samsung nejspíš o rok později) a i s ohledem na lepší parametry (zatím se hovoří především o vyšším výkonu, tedy o vyšších dosažitelných taktech) pravděpodobně získá většinu zakázek - opět podobně jako se 7nm generací.