Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

GAA

USA plánují zamezit Číně přístup k HBM pamětem a GAA výrobě

17. 6. 2024 | no-X | diskuse(106)
Bidenova administrativa se rozhodla podniknout další protičínské kroky, které omezí rozvoj této země na poli informačních technologií…

Lisa Su potvrdila výrobu na 3nm procesu Samsungu

30. 5. 2024 | no-X | diskuse(30)
Využití výrobních linek Samsungu, o kterém se šušká od loňského podzimu, nyní na ITF World 2024 potvrdila CEO AMD, Lisa Su…

Samsung se chlubí zákazníky a výtěžností 3nm procesu, sám ho ale nepoužívá

1. 5. 2023 | no-X | diskuse(23)
Samsung se k příležitosti zveřejnění finančních výsledků (které ke chlubení nebyly) pochlubil stavem 3nm GAA procesu. Optimistická slova ale příliš nekorespondují s reálnými kroky…

Samsung dnes expedoval první 3nm GAA čipy. Předběhl TSMC a Intel

25. 7. 2022 | no-X | diskuse(12)
Z technologického a historického hlediska jde o průlom. První dodávka GAA / MBCFET čipů je sice ve světě IT dlouho očekávaným krokem - vysvětlíme si ale, proč nakonec vlastně vůbec nic neznamená…

2nm proces TSMC využije nanosheets, do budoucna se zvažuje CFET

17. 6. 2022 | no-X | diskuse(1)
TSMC potvrdila, že pro 2nm proces nasadí zvažovanou technologii nanosheets, tedy derivát GAAFET - podobně jako Samsung nebo Intel…

Výtěžnost 3nm procesu Samsungu je ještě horší než u 4nm výroby

20. 4. 2022 | no-X | diskuse(17)
3nm proces Samsungu bude historicky prvním komerčně dostupným procesem využívajícím technologii GAA / MBCFET. Přípravy ale nejdou hladce a Samsung nebude letos schopný proces komerčně zpřístupnit…

3nm (GAA) proces Samsungu čeká další odklad, oproti TSMC asi neobstojí

31. 8. 2021 | no-X | diskuse(11)
S 3nm procesem Samsungu, který jako první nasazuje technologii Gate All Around, nástupce současného FinFET, to nevypadá dobře. Opět dochází ke zdržení…
 

Samsung ohlásil 3nm MBCFET proces nové generace

17. 5. 2019 | no-X | diskuse(4)
Již řadu let se mluví o tom, že technologii FinFET pomalu (po 7nm procesu ale již docela rychle) dochází pára. K alternativním cestám vývoje patří GAAFET nebo Samsungem vylepšená varianta, MBCFET…

Samsung: 4nm proces nebude FinFET, 7nm přijde 2018, 6- a 5nm 2019

29. 5. 2017 | no-X | diskuse(15)
Samsung pracuje na svém prvním EUV procesu, 7nm. To ale není to nejzajímavější. S EUV to plánuje rozjet ve velkém a obratem nabídnout i 6nm a 5nm proces. Se 4nm generací opustí FinFET.