Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

GAA

TSMC potvrdila, že pro 2nm proces nasadí zvažovanou technologii nanosheets, tedy derivát GAAFET - podobně jako Samsung nebo Intel…
3nm proces Samsungu bude historicky prvním komerčně dostupným procesem využívajícím technologii GAA / MBCFET. Přípravy ale nejdou hladce a Samsung nebude letos schopný proces komerčně zpřístupnit…
S 3nm procesem Samsungu, který jako první nasazuje technologii Gate All Around, nástupce současného FinFET, to nevypadá dobře. Opět dochází ke zdržení…
Již řadu let se mluví o tom, že technologii FinFET pomalu (po 7nm procesu ale již docela rychle) dochází pára. K alternativním cestám vývoje patří GAAFET nebo Samsungem vylepšená varianta, MBCFET…
Samsung pracuje na svém prvním EUV procesu, 7nm. To ale není to nejzajímavější. S EUV to plánuje rozjet ve velkém a obratem nabídnout i 6nm a 5nm proces. Se 4nm generací opustí FinFET.