Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

AMD: 20 nm není těžištěm, preferujeme 14nm FinFET u GlobalFoundries

Absence AMD ve výčtu partnerů 16nm procesu TSMC má prostý důvod: Společnost namísto něj preferuje 14nm proces Samsung / GlobalFoundries.

Zpráva přišla nezávisle ze dvou nezávislých pramenů - a to jak v podobě oficiálního vyjádření AMD, tak od zdrojů blízkých branži křemíkových pekáren. Zdá se tedy, že na spekulacích i starší zprávách ohledně tape-out 14nm čipů AMD bylo něco pravdy.

Devinder Kumar, CFO společnosti, na Credit Suisse 18th Annual Technology Conference prozradil, že: „V současnosti zakládá majorita našich produktů na 28nm procesu. Budeme mít určité 20nm produkty a po nich už bude následovat FinFET. Partnerství s GlobalFoundries je směr, kterým se budeme ubírat…“ Zřejmě není třeba extra zdůrazňovat, že první komerčně dostupný FinFET proces, který má GlobalFoundries v nabídce, je právě 14nm výroba, kterou společnost licencovala u Samsungu.

Nezávisle na této zprávě se na asijských webech objevila celková analýza nových výrobních procesů a jejich využití jednotlivými výrobci. Rovněž uvádí, že AMD využije 14nm proces Samsungu prostřednictvím továren GlobalFoundries. Krom toho se dozvídáme, že zájem o 16nm výrobu u TSMC není příliš valný, například Apple tentokrát adresoval nadpoloviční většinu objednávek Samsungu.

Roadmapa výrobních procesů Samsungu

Potvrzení, že AMD využije 14nm FinFET výrobu v GlobalFoundries, ale samo o sobě neznamená, že v případě potřeby nevyužije tak nabídku TSMC. Už v současnosti využívá služeb obou výrobců (některé zakázky dělí i již zmíněný Apple).

Zatímco riziková výroba na 14nm procesu Samsungu již běží a v prvním kvartálu dojde k zahájení sériové v omezených kvantitách, v případě 16nm procesu TSMC má dojít k najetí na sériovou výrobu až ve třetím kvartálu. V prvním tedy bude dostupná 14nm FinFET výroba Samsungu, ve třetím 16nm FinFET od TSMC a poté i 16nm FinFET+ od TSMC, která dále sníží energetické nároky a zvýší potenciál taktovacích frekvencí.

Při prvních oficiálních prezentacích 16nm FinFET procesu uváděla TSMC, že oproti 20 nanometrům sníží plochu čipů o 5 %. Tutéž cifru pak uváděla i pro srovnání 16nm FinFET a 16nm FinFET+. Nakonec ale vyšlo najevo, že tato čísla nelze sčítat, neboť společnost porovnávala různé sub-varianty procesů, přičemž při srovnání jiných sub-variant nedochází k žádné úspoře. V praxi to tedy znamená, že 16nm FinFET čipy (obou generací) budou o 0-5 % menší než 20nm čipy - v závislosti na tom, jaké verze budeme srovnávat. Samsung pro svůj 14nm FinFET proces uvádí zmenšení čipů o 15 % oproti 20nm výrobě.

Ještě komplikovanější je situace s dosažitelnými takty a spotřebou. CEO TSMC uváděl, že 16nm FinFET výroba umožní zvýšit takty o 10-20 % nebo snížit spotřebu o 25-30 %. Samsung pro svůj 14nm FinFET uvádí zvýšení taktů o 20 % nebo snížení spotřeby o 35 %. Minimálně oficiální čísla uvedená výrobci staví proces Samsungu do mírně lepšího světla. Tedy jak se to vezme. Nějaký čas měla tytéž hodnoty na webu i TSMC, ale zřejmě byly staženy, k dispozici jsou už pouze informace o variantě FinFET+.

Právě 16nm FinFET+ TSMC má oproti základní verzi (bez plusu) dále snížit spotřebu a zvýšit potenciál taktovacích frekvencí. Co se těch týká, uváděl web TSMC nejprve údaje odpovídající zhruba o 18 % vyšším taktům, poté se v tiskové zprávě objevila hodnota 15 % a nakonec (u příležitosti výroby prvního heterogenního 16nm FinFET SoC) hovořila o 11 %. Aktuální webové informace srovnávají s 20nm procesem, oproti němuž má být o 40 % rychlejší. Po stránce spotřeby se rovněž objevily různé údaje - oproti neplusovým 16nm má být o 25 nebo 35 % úspornější (různé údaje z různých zpráv) a ve srovnání s 20nm výrobou ušetří až 50 % energie.

Sečteno podtrženo, základní 16nm proces TSMC se alespoň podle dostupných čísel nejeví ve srovnání se 14nm procesem Samsungu jako lepší alternativa. Co do spotřeby a dosažitelných taktů bude v nejlepším případě srovnatelný, jádra jím vyrobená budou větší a dostupný bude později. Potenciálně zajímavější by mohl být 16nm FinFET+, o jehož dostupnosti zatím nevíme více, než že k ní dojde v blíže neupřesněné době po uvedení základní verze. Přesto - až dorazí - by tato varianta měla po stránce taktů a energetické úspory (nikoli však co do úspory plochy čipu) překonat první generaci 14nm procesu Samsungu / GlobalFoundries.

Zdroje: 

Diskuse ke článku AMD: 20 nm není těžištěm, preferujeme 14nm FinFET u GlobalFoundries

Neděle, 7 Prosinec 2014 - 23:18 | Nest | Svata prostato. Mas tam "TSMC begins to risk...
Neděle, 7 Prosinec 2014 - 13:06 | webwalker | Takže ještě jednou Joudo: 1. Nikde se nepíše, že...
Neděle, 7 Prosinec 2014 - 12:30 | Nest | Ano? A to ma jakou souvislost s 1xnm procesem?...
Neděle, 7 Prosinec 2014 - 10:25 | webwalker | MPSoC od Xilinx používá u 28nm HPL proces. Ty...
Sobota, 6 Prosinec 2014 - 11:30 | Nest | http://www.xilinx.com/products/technology/...
Pátek, 5 Prosinec 2014 - 23:04 | webwalker | No, možná by sis měl nejdříve zjistit, co znamená...
Pátek, 5 Prosinec 2014 - 21:21 | del42sa | There are two varieties of 14nm FinFET: one from...
Pátek, 5 Prosinec 2014 - 20:46 | Nest | 1. Ja si ji precet, hele: "TSMC is once...
Pátek, 5 Prosinec 2014 - 17:55 | CCblue | Proč to trvá rok? No zřejmě proto, že se...
Pátek, 5 Prosinec 2014 - 17:46 | webwalker | 1. Koukni Joudo, všechny weby čerpaly z jediného...

Zobrazit diskusi