Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

Druhou generaci 3nm procesu se Samsungu nedaří dotáhnout, výtěžnost je minimální

Zdroj: Samsung

Výtěžnost druhé generace 3nm procesu společnosti Samsung (SF3 / 3GAP) měla dosahovat kolem 70 %, reálně však dosahuje méně než třetiny tohoto cíle, jen kolem 20 %…

Samsung je prvním výrobcem, který se do sériové výroby rozhodl nasadit technologii GAA (Gate All-Around). Ta vychází z předpokladu, že čím větší kontaktní plochu má kanál s hradlem tranzistoru, tím lépe, takže proměňuje kanál v sérii nanodrátů procházejících hradlem. Aby Samsung mohl myšlenku implementovat s použitím dostupných výrobních prostředků, tak tyto dráty zploštil, čímž dal vzniknout technologii, kterou nazývá MBCFET. Samsung původně plánoval GAA nasadit již se 4nm procesem, ale z vše nešlo podle původních očekávání, a tak bylo nasazení se 3nm procesem vlastně odkladem.

I tak způsobilo Samsungu problémů víc než dost. První generace 3nm GAA procesu (také označovaná jako SF3E nebo GAE) se sice brzy dostala do fáze sériové výroby, ale výtěžnost se Samsungu dařilo vylepšovat jen velmi pomalu. V současnosti, prakticky dva roky od vydání procesu, dosahuje 50-60 %, což stále není na úrovni 70 %, která je pro společnost standardním cílem. Lze však mluvit o použitelné technologii.

Horší situace je s druhou generací 3nm procesu, SF3 / GAP, která měla být v podobě sériové výroby dostupná od letošního roku. Ten se chýlí ke konci a proces dosahuje zhruba 20% výtěžnosti, tedy ani ne třetiny cílených 70 %. To je stav jen o málo lepší než u 2nm procesu (SF2), jehož sériová výroba se chystala na příští rok. Ten podle zpráv z konce září dosahoval výtěžnosti kolísající mezi 10 a 20 %.

Asi není potřeba zdůrazňovat, že při výrobních nákladech moderních procesorů jde o stav, který je velmi vzdálený rentabilní sériové výrobě.

Samsung je zhruba od éry 14nm procesu, který byl poslední skutečně úspěšnou technologií (licencovala si ji např. GlobalFoundries) v silném skluzu za TSMC. Situaci se snaží řešit výraznějším skokem, kterého by rád dosáhl časnějším nasazením technologií nové generace. To ale dosud nepřineslo ovoce. Časnější nasazení EUV litografie (již se 7nm generací) oproti TSMC skluz ještě prohloubilo a využití GAA se 3nm generací sice zlepšilo provozní vlastnosti, ale při dopadu na výtěžnost, který o několik let odsunul dosažení rentabilní výroby.

Tagy: 
Zdroje: 

Diskuse ke článku Druhou generaci 3nm procesu se Samsungu nedaří dotáhnout, výtěžnost je minimální

Středa, 13 Listopad 2024 - 23:56 | HoCh | Problem se zpomalovanim pokroku neni jen ve...
Středa, 13 Listopad 2024 - 19:14 | FrankHorigan | Třeba já mám 3060 a rozhodně nemám pocit, že je...
Středa, 13 Listopad 2024 - 18:19 | Ladis | Ale na druhou stranu, co je to za život žít z...
Středa, 13 Listopad 2024 - 15:31 | Lazar | Nebo volit jednoduše hry, kterým kde hratelnost...
Středa, 13 Listopad 2024 - 15:08 | FrankHorigan | Celý marketingový název "DLSS" je jeden...
Středa, 13 Listopad 2024 - 15:05 | FrankHorigan | Ano HalfLife2 ti rozjede i na 1200fps, ale hodně...
Středa, 13 Listopad 2024 - 11:37 | melkor | >> Záměrně neuvádím DLSS3/FSR/FG atd atd....
Středa, 13 Listopad 2024 - 11:06 | RedMaX | Nepřeháněj, 4K 144 FPS na vysoké detaily, což...
Středa, 13 Listopad 2024 - 10:59 | FrankHorigan | Máš pravdu, že u grafik není výkonu nikdy dost,...
Středa, 13 Listopad 2024 - 09:38 | RedMaX | Bych řekl, že hlavně jde o grafiky, tam se to...

Zobrazit diskusi