CTO firmy Gary Patton v rozhovoru potvrzuje, že nadále běží jak spolupráce se Samsungem na FinFET procesech, tak vlastní vývoj SOI technologií. Po 14nm FinFET procesu Samsung však GlobalFoundries skutečně nenasadí 10nm meziproces, ale rovnou přejde na 7nm. Odůvodňuje to tím, že podobně jako kdysi 20nm planární proces, ani 10nm FinFET nenabízí takové skoky vpřed v oblasti výkonu, spotřeby či tepelného vyzařování, aby byl zajímavý pro firemní zákazníky. Místo toho, aby firma štěpila síly a implementovala i 10nm proces s omezenou využitelností pro zákazníky, vrhá všechny síly na další hlavní proces, tedy 7nm výrobu.

Tento proces však bude odlišný. 7nm FinFET proces si GlobalFoundries vyvine i ve vlastních variantách, a to díky technologiím a know-how získaným koupí části IBM. Většina inženýrů, kteří na tom budou pracovat, pochází právě z IBM. Výzkum a vývoj 7nm technologie proběhne zejména v bývalé laboratoři IBM v americkém Albany (stát New York), připojí se ale i pracoviště v Maltě (též stát New York).

Sériová výroba vlastním 7nm procesem je v plánu už na první polovinu roku 2018 s tím, že prvními klienty budou IBM a AMD. Redukce spotřeby u tohoto prvního 7nm procesu má dosahovat až 60 %, náklady na výrobu klesnou o 30 % a zvýší se výtěžnost výroby z waferu na dvojnásobek.

GlobalFoundries nenasadí pro 7nm proces EUV litografii. Očekává, že ta se stane dostatečně vyzrálou až tak v roce 2019, což bude zhruba rok poté, co klienti budou sériově vyrábět své čipy u GlobalFoundries 7nm procesem. Firma tak pro 7nm proces ještě použije stávající optické technologie, což je jedna z těch věcí, kterou se bude lišit od Samsungu, jenž EUV pro 7nm proces plánuje/vyvíjí.

Když odbočíme od FinFET technologií, pak musíme vzpomenout též FD-SOI. Již dříve jsme psali, že GlobalFoundries s FD-SOI nadále počítá, a to po 22nm procesu také u 12nm procesu. Dle CTO firmy dává 22nm FD-SOI proces 22FDX podobně výkonné čipy jako klasický 28nm proces, ale jejich spotřeba je o 70 % nižší, což je vynikající. Vývojová verze výrobních kitů pro tento proces byla připravena v polovině tohoto roku a GlobalFoundries pro tuto technologii získala již 50 zájemců. Očekává, že riziková produkce bude probíhat ještě letos s tím, že v prvním čtvrtletí 2017 bude 22FDX nasazena v sériové výrobě. Navíc je proces připraven pro to, aby v čipech byla nasazena i paměť typu MRAM.

S výrobou MRAM se počítá jak pro FinFET, tak pro 12FD-SOI procesy. 12nm FD-SOI výroba 12FDX by měla prijít do komerční nabídky někdy v roce 2019. Oproti 16nm/14nm FinFET čipům nabídnou 12nm FD-SOI čipy až o 50 % nižší spotřebu a také nižší náklady na výrobu oproti 10nm FinFET.

Zní to skvěle, tak držme GlobalFoundries palce, ať to klapne.