Ten bude novou vlajkovou lodí ve firemní nabídce, kde se jihokorejský gigant stále snaží dotáhnout na konkurenci, zejména Qualcommovy čipy Snapdragon. V porovnání s předchozí 20nm planární technologií opět zaznívají tradiční čísla, tedy konkrétně nyní možnost až o 20 % vyšších rychlostí či až o 35 % nižší spotřebě.

FinFETu to přitom trvalo zhruba 10 let, než se zrodil do sériově použitelné podoby pro větší čipy. Vše začalo v minulém desetiletí, kdy byl na konferenci IEDM 2003 (International Electron Devices Meeting) prezentován výzkumný projekt mající za cíl přechod od klasické technologie ke „3D“ tranzistorům. Mezi opravdu velkými procesory to stihl jako první Intel, generace Ivy Bridge přišla na trh před necelými třemi roky. Tehdy ale šlo o 22nm výrobu, nyní všichni svorně přechází na 1Xnm tranzistory: Intel, Samsung a GlobalFoundries na 14nm (časem se připojí i UMC a další), TSMC na 16nm FinFET převádí svoji 20nm technologii a tak bychom mohli pokračovat.

Už od konce loňského roku vyrábí Samsung ve velkém 14nm ARM čipy pro Apple. Stejně tak na FinFETu již vyrábí paměťové čipy, včetně 3D V-NAND flash produktů. Exynos 7 Octa je další v řadě, ve srovnání s výše uvedenými jde o složitější a větší ARM čip, od kterého se očekává, že jeho CPU i GPU poběží na vysokých taktech a přesto se vejdou do striktních limitů spotřeby/tepelných ztrát, které panují ve světě smartphonů a tabletů.

Přejme Samsungu, ať se mu nové Exynosy daří a naváže na úspěšný a oblíbený smartphone Galaxy S3 něčím, co bude zajímavější než S5. Chystané smartphony řady Galaxy S6 (mj. model S6 Edge) již mají nést osmijádrový Exynos 7 vyrobený 14nm procesem, dnešní oznámení sériové výroby není náhodné.