Samsung v tiskovce oznamuje, že zahájil výrobu waferů na 7nm procesu s EUV litografií. Zbytek tiskové zprávy více méně rekapituluje známé události a na nové technologické detaily je chudý - zkrátka podstatou evidentně bylo říct: „Je to tady a jsme první.“ Společnost se chlubí oprávněně, o EUV se sice hovoří již léta, ale doposud se jí nikomu nepodařilo uvést do výrobní praxe; Samsung je tedy první.

Informaci je nicméně nutné chápat v technologickém kontextu, který byl vyřčen koncem letošního jara, v červnu:

Je tedy jasné, že nyní přichází počátek oné rizikové výroby, tedy výroby, která je sice na vyžádání dostupná, ovšem - alespoň podle červenových informací - bez kompletního setu softwarové výbavy a nástrojů pro zákazníky a bez jakékoli záruky (na výtěžnost, dosažitelné frekvence, spotřebu ap.). V současné tiskovce se Samsung sice ve věci IP a nástrojů odkazuje na partnerské firmy, které se v tomto ohledu o zákazníky postarají, ale přesto hovoří v budoucím čase. Těžko usuzovat, v jakém stavu tedy podpora ze strany partnerských firem aktualně je. Pokud se na červnovém scénáři mnoho nezměnilo, pak se jeví jako pravděpodobnější, že v současném stavu bude Samsung využívat proces převážně pro vlastní potřebu a teprve po dořešení restů, řekněme za kvartál (Q1 2019) lze očekávat využití externími zájemci v podobě velkokapacitní sériové výroby. Logicky bychom tedy dostupnost prvních výrobků těchto zákazníků očekávali zhruba o další kvartál později, tedy nejdříve v dubnu 2019. Třeba nakonec společnost překvapí a nabídne velkokapacitní výrobu do konce roku - uvidíme.

• Samsung představil 7nm EUV proces. Je skvělý, ale dříve než za rok nedorazí. ^{jaro 2018}

Zásadní výhoda z EUV procesu vyplývá z vlnové délky 13,5 nm, kterou je možné snáze kreslit drobné detaily než klasickým 193nm ArF, pro nějž je (v případě potřeby vykreslení drobných detailů) nutné využívat více masek. A ty jsou drahé. V situaci, kdy ArF vyžaduje čtyři masky, stačí EUV jedna. To je samozřejmě ilustrace extrémní situace. V průměru klesá celkový počet masek pro celý proces o 20 %. EUV má dále pozitivní vliv na rychlost výroby, který ovšem na druhé straně trochu snižují o něco časově náročnější kroky, které s ArF nebyly potřeba. Souvisí např. s jemnými defekty materiálu, potřebou kvalitnějšího lakování masek ap.

Samsung uvádí, že 7nm LPP (EUV) proces dosahuje vyšší výtěžnosti než firemní 10nm proces, snižuje plochu čipu o 40 %, zvyšuje výkon (dosažitelné taktovací frekvence) o 20 % nebo snižuje spotřebu o 50 %.