TSMC, GlobalFoundries, dosud i Samsung a vlastně všichni ostatní výrobci používají litografické nástroje od ASML a Nikonu, které jsou vybavené argon-fluoridovým (ArF) excimerovým laserem emitujícím světlo v hlubokém UV spektru o vlnové délce 193mn. Protože je vlnová délka tohoto světla vyšší než detail, které je tímto paprskem třeba kreslit, využívá se tzv. imerzní litografie s vícenásobným vzorkováním. S využitím vyššího počtu masek se využije vícenásobná expozice.

Proces Samsungu jako první využije tzv. EUV litografie, zdroje světla s vlnovou délkou 13,5 nm, s nímž lze kreslit menší detaily a navíc výrazně přesněji. 7nm proces samsungu má 27nm rozteč žeber (fin) a 54nm rozteč bran (gate), což znamená nejmenší doposud známá FinFET tranzistor. Samsung zároveň dosahuje i SRAM s nejvyšší známou denzitou; jedna buňka měří 0,0262 čtverečního mikronu. Celkově dochází ke 40% zmenšení oproti 10nm procesu téhož výrobce, který je aktuálně používán například pro Qualcomm Snapdragon 845 a Samsung Exynos 8910.

Použití EUV dále zvyšuje přesnost a snižuje variabilitu. Reálný produkt je tedy bližší návrhu. Samsung tvrdí, že je s EUV schopný dosáhnout o 70 % vyšší přesnosti ve srovnání se 193nm ArF imerzními skenery s vícenásobným vzorkováním. Hlavní výhoda má spočívat v urychlení počáteční fáze výroby, kdy je u konkrétního návrhu potřeba co nejrychleji dostat výtěžnost na rentabilní úroveň.

Další výhodou je zrychlení procesu výroby a snížení nákladů. Díky EUV je Samsung schopný vyrábět kontakty a některé kovové vrstvy v jediném kroku, zatímco 193nm ArF potřeboval vícenásobnou expozici. Počet masek by měl klesnout přinejmenším o čtvrtinu.

Na druhé straně jsou pak nevýhody. Výroba drobnějších struktur s sebou nese potřebu vývoje lepších EUV povlaků na ochranu masek před kontaminací, vyšší dávky pro prevenci náhodných defektů (čím vyšší dávky, tím více se prodlouží časový cyklus) a vývoj nových inspekčních nástrojů pro odhalení a opravu drobných defektů.

Samsung předvedl výtěžnost při výrobě SRAM, pochlubil se plně funkčním 7nm SoC se čtyřjádrovým CPU, šestijádrovým GPU a SRAM cache. Dále prezentoval, že proces v současné podobě dosahuje o 20-30 % vyšších taktů při o 30-50 % nižší spotřebě oproti časnému vzorku prezentovanému v loňském roce na konferenci na Kyoto.

Společnost očekává, že zahájí rizikovou výrobu k neupřesněnému datu v letošním roce. Některé části IP ale nebudou hotové dříve než v první polovině příštího roku, takže nelze čekat, že by do příštího jara mohly jít na trh nějaké produkty vyráběné tímto procesem. Teoreticky může přechod z rizikové výroby na sériovou trvat i rok. Samsung z toho důvodu nabídne 8nm proces bez EUV litografie, který bude hotový dříve a který zřejmě využije Qualcomm při přechodu z 10nm generace.